埋入层英文解释翻译、埋入层的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 buried layer

分词翻译：

埋入的英语翻译：

【电】 embedment

层的英语翻译：

layer; region; stage; story; stratum; tier
【计】 layer
【医】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

专业解析

在电子工程与半导体领域，"埋入层"（mái rù céng）指预先制备在半导体衬底内部、被后续外延层或其他结构覆盖的功能性薄层。其核心作用是优化器件电学性能，如降低电阻、隔离器件或形成特定导电通道。以下是汉英对照解析：

一、中文定义与技术功能

埋入层

指通过离子注入、扩散或沉积工艺，在半导体基片（如硅晶圆）内部形成的掺杂区域或介质层。该层被后续生长的外延层完全覆盖，成为器件结构的"隐藏"部分。主要应用于：

1. 降低集电极电阻：在双极晶体管中，埋入层（如N⁺层）减小纵向电阻，提升高频特性 。
2. 器件隔离：在集成电路中，埋层（如SiO₂）实现相邻元件电学隔离，防止信号串扰 。
3. 优化载流子传输：在功率器件中调整电场分布，增强击穿电压。

来源：

《微电子学名词》（科学出版社）定义编号 04.012；

中国半导体行业协会技术报告《集成电路制造工艺术语》。

二、英文对应术语与释义

Buried Layer (常用) /Embedded Layer

A thin, intentionally formed region within a semiconductor substrate, typically created by dopant implantation or epitaxial growth, serving as:

• Current path optimizer: e.g., N⁺ buried layer in BJTs reduces collector resistance (IEEE Xplore, DOI:10.1109/T-ED.1985.22072).
• Isolation structure: e.g., Buried oxide (BOX) layer in SOI wafers eliminates parasitic leakage (Applied Physics Letters, Vol. 83, Issue 12).

技术差异说明：

• Buried Layer 强调"被覆盖的埋藏性"，多指掺杂层；
• Embedded Layer 涵盖更广，包括介质埋层（如SiC埋入Si基）。

三、典型应用场景

1. 双极集成电路：

   N⁺埋层降低PNP晶体管饱和压降，见于模拟IC芯片 。

2. SOI（绝缘体上硅）技术：

   埋氧层（Buried Oxide）隔离晶体管与衬底，减少寄生电容（SEMI标准 MS3-0217）。

3. MEMS传感器：

   埋入多晶硅层作为应力缓冲结构，提升器件可靠性 。

权威参考文献

1. 中文标准：

   全国科学技术名词审定委员会《微电子学名词》（定义04.012）。

2. 英文手册：

   S.M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology (Wiley), Chapter 5 "Bipolar Transistors".

3. 行业白皮书：

   SEMI《半导体晶圆制造术语指南》 (术语代码 EPI-3)。

网络扩展解释

"埋入层"的英文翻译为"buried layer"（），属于电学领域的专业术语。以下是详细解释：

1. 基本定义
   指通过特殊工艺嵌入基底材料内部的半导体结构层，常见于集成电路制造。这类层状结构通常位于晶圆表面以下，通过离子注入或外延生长等技术形成。

2. 功能特性
   主要用于改善器件性能，例如：降低电阻、增强隔离效果或优化载流子传输。在双极型晶体管中，埋入层可减少集电极串联电阻（）。

3. 技术实现
   需通过高温扩散、化学气相沉积等高精度工艺完成，层厚一般在微米甚至纳米级别，对材料纯度和工艺稳定性要求极高。

由于当前搜索结果权威性较低，建议结合IEEE Xplore等专业数据库或《半导体器件物理》类教材获取更详细的技术参数与应用案例。

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