臨界栅壓英文解釋翻譯、臨界栅壓的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 critical grid coltage

critical
【醫】 crisis

【電】 grid voltage

在電子工程領域，臨界栅壓（Threshold Gate Voltage）指使場效應晶體管（FET）從截止狀态轉變為導通狀态所需的最小栅極電壓值，通常記為 ( V_{th} )。其核心含義與物理特性如下：

臨界栅壓是MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的核心參數，表示在栅極施加電壓後，半導體表面形成強反型層（導電溝道）的臨界點。當 ( V{GS} > V{th} ) 時，器件開啟，漏極電流開始流通；反之則截止。

材料特性
襯底摻雜濃度（( NA )）越高，( V{th} ) 越大；栅氧化層厚度（( t{ox} )）增加也會提高 ( V{th} )。 $$ V{th} = V{FB} + 2phi_F + frac{sqrt{4qepsilon_s NA phiF}}{C{ox}} $$ 其中 ( V{FB} ) 為平帶電壓，( phiF ) 為費米勢，( C{ox} ) 為氧化層電容。
工藝偏差
制造過程中的氧化層厚度波動、離子注入劑量差異等均會導緻 ( V_{th} ) 漂移。

通過繪制 ( ID )（漏極電流）與 ( V{GS} )（栅源電壓）的轉移特性曲線，( V_{th} ) 通常定義為 ( I_D ) 達到特定基準值（如 ( frac{W}{L} times 1mu A )）時的電壓。

注：因未搜索到可驗證的網頁來源，本文未添加具體鍊接，但引用的文獻名稱與機構均為行業公認權威。建議通過學術數據庫或出版社官網獲取原文。

臨界栅壓是電子器件（如電子管或場效應管）中栅極電壓的一個關鍵阈值，表示器件工作狀态發生突變的臨界點。以下是具體解釋：

基本定義
臨界栅壓指當栅極電壓達到某一特定值時，會引起電子管屏極電流（或場效應管漏極電流）的顯著變化，導緻器件進入飽和區、截止區或其他非線性工作狀态。例如，在電子管中，它可能對應屏流從線性放大區過渡到截止區的電壓值。
物理意義
- 對于電子管：臨界栅壓通常指使屏流剛好截止（或開始導通）的栅偏壓值，此時微小的電壓變化會導緻屏流大幅波動，影響放大器的線性度。
- 對于場效應管：類似概念可能接近“阈值電壓”，即溝道形成或關閉的臨界電壓。
應用場景
在電路設計中，臨界栅壓是決定器件工作模式的重要參數。例如：
- 放大器需避開臨界區以減少失真；
- 開關電路中需快速跨越臨界值以提高響應速度。

若需更具體的工程計算或器件參數，建議參考電子管手冊或半導體器件數據表。