临界栅压英文解释翻译、临界栅压的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 critical grid coltage

critical
【医】 crisis

【电】 grid voltage

在电子工程领域，临界栅压（Threshold Gate Voltage）指使场效应晶体管（FET）从截止状态转变为导通状态所需的最小栅极电压值，通常记为 ( V_{th} )。其核心含义与物理特性如下：

临界栅压是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的核心参数，表示在栅极施加电压后，半导体表面形成强反型层（导电沟道）的临界点。当 ( V{GS} > V{th} ) 时，器件开启，漏极电流开始流通；反之则截止。

材料特性
衬底掺杂浓度（( NA )）越高，( V{th} ) 越大；栅氧化层厚度（( t{ox} )）增加也会提高 ( V{th} )。 $$ V{th} = V{FB} + 2phi_F + frac{sqrt{4qepsilon_s NA phiF}}{C{ox}} $$ 其中 ( V{FB} ) 为平带电压，( phiF ) 为费米势，( C{ox} ) 为氧化层电容。
工艺偏差
制造过程中的氧化层厚度波动、离子注入剂量差异等均会导致 ( V_{th} ) 漂移。

通过绘制 ( ID )（漏极电流）与 ( V{GS} )（栅源电压）的转移特性曲线，( V_{th} ) 通常定义为 ( I_D ) 达到特定基准值（如 ( frac{W}{L} times 1mu A )）时的电压。

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临界栅压是电子器件（如电子管或场效应管）中栅极电压的一个关键阈值，表示器件工作状态发生突变的临界点。以下是具体解释：

基本定义
临界栅压指当栅极电压达到某一特定值时，会引起电子管屏极电流（或场效应管漏极电流）的显著变化，导致器件进入饱和区、截止区或其他非线性工作状态。例如，在电子管中，它可能对应屏流从线性放大区过渡到截止区的电压值。
物理意义
- 对于电子管：临界栅压通常指使屏流刚好截止（或开始导通）的栅偏压值，此时微小的电压变化会导致屏流大幅波动，影响放大器的线性度。
- 对于场效应管：类似概念可能接近“阈值电压”，即沟道形成或关闭的临界电压。
应用场景
在电路设计中，临界栅压是决定器件工作模式的重要参数。例如：
- 放大器需避开临界区以减少失真；
- 开关电路中需快速跨越临界值以提高响应速度。

若需更具体的工程计算或器件参数，建议参考电子管手册或半导体器件数据表。