基極厚度英文解釋翻譯、基極厚度的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 base thickness

分詞翻譯：

基極的英語翻譯：

【計】 B
【化】 base

厚度的英語翻譯：

ply; thickness
【醫】 thickness

專業解析

基極厚度（Base Thickness）是半導體器件領域的關鍵參數，特指雙極型晶體管（BJT）中基區的物理尺寸。該指标直接影響載流子遷移速度、電流放大系數及器件高頻特性，其英文術語在IEEE标準315-1975中被明确定義為"the distance between emitter and collector junctions in a bipolar transistor"（雙極晶體管發射結與集電結之間的距離）。

從半導體物理角度分析，基極厚度通常控制在微米級（10⁻⁶米）至納米級（10⁻⁹米）範圍，符合愛因斯坦擴散方程$D_n∇²n = ∂n/∂t$的載流子輸運規律。較薄的基區可縮短載流子渡越時間，提升截止頻率，但需平衡擊穿電壓與制造工藝的可行性。

國際半導體技術路線圖（ITRS）建議，現代高頻晶體管的基極厚度應滿足$W_B ≤ sqrt{2D_nτ_B}$，其中$D_n$為電子擴散系數，$τ_B$為基區少子壽命。該公式源自《半導體器件物理》第7.3章載流子輸運理論。

在工程實踐中，德州儀器（TI）的AN-900應用報告指出，其RF晶體管系列将基極厚度控制在0.1-0.3微米，配合磷摻雜濃度梯度技術，使特征頻率達到45GHz以上。該參數測量需使用二次離子質譜（SIMS）或掃描電容顯微鏡（SCM）等微區分析手段。

網絡擴展解釋

基極厚度是半導體三極管（晶體管）中的一個關鍵參數，具體解釋如下：

一、基極的定義

基極是晶體管三個電極之一（另兩個為發射極和集電極），位于發射極與集電極之間，主要作用是控制發射極載流子的電流大小（）。這個區域由P型或N型半導體材料構成，具體類型取決于晶體管的結構（如NPN或PNP型）。

二、厚度的物理意義

厚度在物理學中指物體上下兩面的距離（）。對于基極而言，其厚度特指晶體管基區的物理尺寸，即基極區域的橫向寬度。

三、基極厚度的設計要求

減少載流子複合：基極必須足夠薄，使載流子（如電子）在擴散到集電結前的複合概率降低。通常要求基區厚度遠小于載流子的擴散長度（）。
時間與壽命平衡：載流子穿過基區所需的時間需短于少數載流子的壽命，以确保載流子能有效到達集電極。
典型數值：在實際晶體管中，基極厚度通常在微米（μm）甚至納米（nm）量級，具體取決于材料和工藝。

四、對晶體管性能的影響

若基極過厚：會導緻載流子複合增加，降低電流放大系數（β值）。
若基極過薄：可能引發制造工藝難題，并影響器件的機械穩定性。

基極厚度是晶體管設計的核心參數之一，直接關系到器件的放大能力和效率。其優化需要平衡材料特性、載流子動力學與制造工藝等多方面因素（）。