
【機】 electron concentration
electron
【化】 electron
【醫】 e.; electron
chroma; consistence; consistency; deepness; strength
【化】 concentration
【醫】 concentration; M-concentration M; strength
在電子工程與半導體物理學領域,電子濃度(Electron Concentration) 指單位體積内自由電子的數量,是描述半導體材料導電特性的核心參數之一。其标準定義為:
中文定義
電子濃度(( n ))表示在半導體導帶中,單位體積(通常為立方厘米,cm⁻³)内可參與導電的自由電子數目。其數值直接影響材料的電導率,關系式為:
$$sigma = q(mu_n n + mu_p p)$$
其中 (sigma) 為電導率,(q) 為電子電荷,(mu_n) 和 (mu_p) 分别為電子和空穴遷移率,(p) 為空穴濃度。
英文定義
Electron concentration (( n )) is defined as the number of free electrons per unit volume in the conduction band of a semiconductor. It is a key parameter in determining electrical conductivity, expressed as:
$$sigma = q(mu_n n + mu_p p)$$
where (sigma) is conductivity, (q) is electron charge, (mu_n) and (mu_p) are electron/hole mobilities, and (p) is hole concentration.
本征半導體
在純淨半導體(如矽)中,電子濃度與空穴濃度相等(( n = p = n_i )),( n_i ) 為本征載流子濃度,隨溫度升高指數增長。例如,矽在300K時 ( n_i approx 1.5 times 10^{10} , text{cm}^{-3} ) 。
摻雜效應
溫度依賴性
低溫下,電子濃度受雜質電離主導;高溫時,本征激發成為主要來源,導緻 ( n ) 急劇上升。
系統闡述載流子濃度模型與半導體基礎理論。來源:McGraw-Hill Education
"Carrier Concentration" 條目詳述計算模型。來源:HyperPhysics
多篇研究論文分析納米尺度下電子濃度的量子效應。來源:IEEE Xplore
注:鍊接均指向可公開訪問的權威學術資源主頁,具體内容需通過平台檢索相關術語。
電子濃度在不同學科背景下有不同的定義和計算方法,主要分為以下兩類:
基本概念
電子濃度通常指單位體積内的自由電子數量,即電子密度。例如,在半導體或導體中,它表示每立方米(或立方厘米)所含的導電電子數目。
計算方法
若需進一步了解具體材料的計算方法或實驗測定技術,可參考相關文獻或專業教材。
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