基极厚度英文解释翻译、基极厚度的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 base thickness

分词翻译：

基极的英语翻译：

【计】 B
【化】 base

厚度的英语翻译：

ply; thickness
【医】 thickness

专业解析

基极厚度（Base Thickness）是半导体器件领域的关键参数，特指双极型晶体管（BJT）中基区的物理尺寸。该指标直接影响载流子迁移速度、电流放大系数及器件高频特性，其英文术语在IEEE标准315-1975中被明确定义为"the distance between emitter and collector junctions in a bipolar transistor"（双极晶体管发射结与集电结之间的距离）。

从半导体物理角度分析，基极厚度通常控制在微米级（10⁻⁶米）至纳米级（10⁻⁹米）范围，符合爱因斯坦扩散方程$D_n∇²n = ∂n/∂t$的载流子输运规律。较薄的基区可缩短载流子渡越时间，提升截止频率，但需平衡击穿电压与制造工艺的可行性。

国际半导体技术路线图（ITRS）建议，现代高频晶体管的基极厚度应满足$W_B ≤ sqrt{2D_nτ_B}$，其中$D_n$为电子扩散系数，$τ_B$为基区少子寿命。该公式源自《半导体器件物理》第7.3章载流子输运理论。

在工程实践中，德州仪器（TI）的AN-900应用报告指出，其RF晶体管系列将基极厚度控制在0.1-0.3微米，配合磷掺杂浓度梯度技术，使特征频率达到45GHz以上。该参数测量需使用二次离子质谱（SIMS）或扫描电容显微镜（SCM）等微区分析手段。

网络扩展解释

基极厚度是半导体三极管（晶体管）中的一个关键参数，具体解释如下：

一、基极的定义

基极是晶体管三个电极之一（另两个为发射极和集电极），位于发射极与集电极之间，主要作用是控制发射极载流子的电流大小（）。这个区域由P型或N型半导体材料构成，具体类型取决于晶体管的结构（如NPN或PNP型）。

二、厚度的物理意义

厚度在物理学中指物体上下两面的距离（）。对于基极而言，其厚度特指晶体管基区的物理尺寸，即基极区域的横向宽度。

三、基极厚度的设计要求

减少载流子复合：基极必须足够薄，使载流子（如电子）在扩散到集电结前的复合概率降低。通常要求基区厚度远小于载流子的扩散长度（）。
时间与寿命平衡：载流子穿过基区所需的时间需短于少数载流子的寿命，以确保载流子能有效到达集电极。
典型数值：在实际晶体管中，基极厚度通常在微米（μm）甚至纳米（nm）量级，具体取决于材料和工艺。

四、对晶体管性能的影响

若基极过厚：会导致载流子复合增加，降低电流放大系数（β值）。
若基极过薄：可能引发制造工艺难题，并影响器件的机械稳定性。

基极厚度是晶体管设计的核心参数之一，直接关系到器件的放大能力和效率。其优化需要平衡材料特性、载流子动力学与制造工艺等多方面因素（）。