極間電容英文解釋翻譯、極間電容的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 electrode admittance; electrode characteristic
interelectrode capacitance

分詞翻譯：

極間的英語翻譯：

【電】 interelectrode

電容的英語翻譯：

capacitance; electric capacity
【計】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【醫】 capacitance; electric capacity

專業解析

在電子工程領域，極間電容（Interelectrode Capacitance）是指電子器件（如真空管、晶體管、電容器本身）内部相鄰電極之間由于物理結構和介質特性自然形成的寄生電容。這種電容并非設計意圖産生，而是電極間絕緣介質在電場作用下固有的物理屬性導緻的。其英文術語直譯為“Interelectrode Capacitance”，強調存在于電極（electrode）之間（inter-）。

核心特性與影響

物理本質
任何被電介質分隔的導體都會形成電容。在電子管或晶體管中，栅極-陰極、栅極-陽極、陽極-陰極等電極對之間均存在極間電容，其大小取決于電極面積、間距及介電常數。例如真空管中，栅極與陽極間的電容（C_gp）直接影響高頻性能。
電路模型中的角色
極間電容通常以并聯形式存在于電極之間。在高頻電路中，這些電容會與器件内部電阻形成低通濾波網絡，導緻信號衰減和相位偏移。例如，晶體管中的基極-集電極電容（C_bc）可能引發米勒效應，放大輸入電容并限制帶寬。
設計挑戰
工程師需通過減小電極面積、增加間距或采用屏蔽結構（如真空管的屏栅極）來抑制極間電容。在射頻電路和高速數字電路中，其影響尤為顯著，可能引發振蕩、信號串擾或功率損耗。

權威參考依據

經典電子學教材
在《電子電路基礎》（Foundations of Electronic Circuits）中，極間電容被定義為“多電極器件内部非預期電容耦合的統稱，是高頻等效電路的關鍵參數”。

來源：Millman, J. & Halkias, C. Integrated Electronics. McGraw-Hill, Chap 11.
行業标準規範
IEEE标準《電子器件寄生參數測量指南》（IEEE Std 218-2020）明确将極間電容列為影響高頻器件穩定性的核心寄生參數，并規範了其測試方法。

來源：IEEE Standard for Measurement Techniques of Interelectrode Capacitances in Electron Devices.

典型應用場景

真空管放大器：栅極-陽極電容（C_gp）需通過中和電路抵消，避免高頻自激。
場效應晶體管（FET）：栅極-源極電容（C_gs）和栅極-漏極電容（C_gd）決定開關速度與頻率響應。
多層電容器：電極層間電容疊加構成标稱容值，但層間雜散電容可能引起諧振。

極間電容是電子器件物理結構衍生的固有特性，對高頻電路設計具有決定性影響，需通過精确建模和工藝優化進行控制。

網絡擴展解釋

極間電容是電子器件中因電極物理結構形成的等效電容，具體解釋如下：

基本定義
指三極管、電子管等器件的電極之間存在的等效電容（如基極-發射極、栅極-陰極等）。它并非實際可見的電容元件，而是由電極間絕緣介質、尺寸和距離等因素導緻的電容效應抽象模型。
典型場景
- 三極管：基極、發射極、集電極任意兩者之間。
- 電子管：栅極與闆極、栅極與陰極等電極間，數值通常在幾皮法至幾十皮法之間。
影響因素
電容大小取決于電極尺寸、間距、絕緣材料（如真空或介質）以及引線布局。
對電路的影響
- 高頻性能限制：極間電容會與電路中的其他元件形成容性耦合，導緻高頻信號衰減或相位偏移。
- 寄生振蕩風險：在放大電路中可能引發意外反饋，造成電路不穩定。
實際應用中的處理
設計高頻電路時需通過優化電極結構、采用低電容器件或加入補償電路來減小其負面影響。

極間電容是電子器件的固有特性，雖不可見但需在電路分析中特别考慮，尤其在射頻、高速數字電路等高頻場景下。