階躍結英文解釋翻譯、階躍結的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 abrupt junction

分詞翻譯：

階的英語翻譯：

rank; stairs; steps
【計】 characteristic
【醫】 scala

躍的英語翻譯：

bound; jump; leap

結的英語翻譯：

congeal; form; knot; settle; vinculum; weave
【醫】 knob; knot; node; nodule; noduli; nodulus; nodus; noeud

專業解析

階躍結（step junction）是半導體器件領域的重要概念，指摻雜濃度在空間上發生突變的PN結結構。其核心特征為P型與N型半導體界面處的摻雜濃度呈階躍式分布，與線性緩變結形成對比。

從物理結構分析，階躍結的形成依賴于半導體制造工藝中的合金法或擴散法。在熱平衡狀态下，耗盡層寬度（$W$）可通過公式推導： $$ W = sqrt{frac{2varepsilon_s}{q}(frac{1}{N_A}+frac{1}{ND})(V{bi})} $$ 其中$varepsilon_s$為介電常數，$q$為電子電荷，$N_A$和$ND$分别為受主與施主濃度，$V{bi}$為内建電勢。

該結構的特殊電場分布特性使其在二極管整流、晶體管開關等器件中具有關鍵作用。相較于緩變結，階躍結的突變摻雜特性導緻更強的峰值電場強度，具體表達式為： $$ E_{max} = frac{qN_DW_n}{varepsilon_s} = frac{qN_AW_p}{varepsilon_s} $$ 這直接影響器件的反向擊穿電壓和電容特性。

權威文獻中，美國電氣電子工程師協會（IEEE）在《半導體器件标準術語手冊》中明确将階躍結歸類為突變結亞型，并标注其在現代集成電路制造中的基礎地位。英國劍橋大學出版的《半導體器件物理》教材則詳細論證了該結構在載流子輸運機制中的特殊表現。

網絡擴展解釋

“階躍結”是一個專業術語，常見于半導體物理和電子工程領域，通常指摻雜濃度在界面處發生突變的半導體結結構（如PN結）。以下是詳細解釋：

1.基本定義

階躍結（Step Junction），又稱突變結，指兩種不同摻雜類型的半導體材料（如P型和N型）在界面處的摻雜濃度發生突然變化，而非逐漸過渡。這種結的形成通常通過外延生長、離子注入或合金法等工藝實現。

2.物理特性

摻雜分布：P區和N區的摻雜濃度在界面處呈階躍式不連續（如P區為均勻的受主濃度，N區為均勻的施主濃度）。
電場分布：結區内的電場強度呈線性變化，最大電場位于界面處。
耗盡層寬度：與摻雜濃度成反比，摻雜濃度越高，耗盡層越窄。

3.應用場景

二極管設計：階躍結常用于開關二極管和階躍恢複二極管（SRD），後者利用結電容的快速充放電特性産生高頻諧波。
微波器件：突變結適合高頻應用，因其響應速度快、結電容小。

4.對比：階躍結 vs. 緩變結

特性	階躍結	緩變結
摻雜變化	突變	逐漸過渡
工藝複雜度	較簡單（如離子注入）	較複雜（如擴散法）
高頻性能	更優（結電容小）	稍差

5.數學描述

耗盡層寬度 ( W ) 可通過以下公式計算：
$$ W = sqrt{frac{2epsilon (V_{bi} - V_a)}{q} left( frac{1}{N_A} + frac{1}{ND} right)} $$
其中，( epsilon ) 為介電常數，( V{bi} ) 為内建電勢，( V_a ) 為外加電壓，( N_A ) 和 ( N_D ) 分别為受主和施主濃度。

若需進一步了解具體器件（如階躍恢複二極管）的工作原理，建議參考半導體物理教材或專業文獻。