阶跃结英文解释翻译、阶跃结的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 abrupt junction

分词翻译：

阶的英语翻译：

rank; stairs; steps
【计】 characteristic
【医】 scala

跃的英语翻译：

bound; jump; leap

结的英语翻译：

congeal; form; knot; settle; vinculum; weave
【医】 knob; knot; node; nodule; noduli; nodulus; nodus; noeud

专业解析

阶跃结（step junction）是半导体器件领域的重要概念，指掺杂浓度在空间上发生突变的PN结结构。其核心特征为P型与N型半导体界面处的掺杂浓度呈阶跃式分布，与线性缓变结形成对比。

从物理结构分析，阶跃结的形成依赖于半导体制造工艺中的合金法或扩散法。在热平衡状态下，耗尽层宽度（$W$）可通过公式推导： $$ W = sqrt{frac{2varepsilon_s}{q}(frac{1}{N_A}+frac{1}{ND})(V{bi})} $$ 其中$varepsilon_s$为介电常数，$q$为电子电荷，$N_A$和$ND$分别为受主与施主浓度，$V{bi}$为内建电势。

该结构的特殊电场分布特性使其在二极管整流、晶体管开关等器件中具有关键作用。相较于缓变结，阶跃结的突变掺杂特性导致更强的峰值电场强度，具体表达式为： $$ E_{max} = frac{qN_DW_n}{varepsilon_s} = frac{qN_AW_p}{varepsilon_s} $$ 这直接影响器件的反向击穿电压和电容特性。

权威文献中，美国电气电子工程师协会（IEEE）在《半导体器件标准术语手册》中明确将阶跃结归类为突变结亚型，并标注其在现代集成电路制造中的基础地位。英国剑桥大学出版的《半导体器件物理》教材则详细论证了该结构在载流子输运机制中的特殊表现。

网络扩展解释

“阶跃结”是一个专业术语，常见于半导体物理和电子工程领域，通常指掺杂浓度在界面处发生突变的半导体结结构（如PN结）。以下是详细解释：

1.基本定义

阶跃结（Step Junction），又称突变结，指两种不同掺杂类型的半导体材料（如P型和N型）在界面处的掺杂浓度发生突然变化，而非逐渐过渡。这种结的形成通常通过外延生长、离子注入或合金法等工艺实现。

2.物理特性

掺杂分布：P区和N区的掺杂浓度在界面处呈阶跃式不连续（如P区为均匀的受主浓度，N区为均匀的施主浓度）。
电场分布：结区内的电场强度呈线性变化，最大电场位于界面处。
耗尽层宽度：与掺杂浓度成反比，掺杂浓度越高，耗尽层越窄。

3.应用场景

二极管设计：阶跃结常用于开关二极管和阶跃恢复二极管（SRD），后者利用结电容的快速充放电特性产生高频谐波。
微波器件：突变结适合高频应用，因其响应速度快、结电容小。

4.对比：阶跃结 vs. 缓变结

特性	阶跃结	缓变结
掺杂变化	突变	逐渐过渡
工艺复杂度	较简单（如离子注入）	较复杂（如扩散法）
高频性能	更优（结电容小）	稍差

5.数学描述

耗尽层宽度 ( W ) 可通过以下公式计算：
$$ W = sqrt{frac{2epsilon (V_{bi} - V_a)}{q} left( frac{1}{N_A} + frac{1}{ND} right)} $$
其中，( epsilon ) 为介电常数，( V{bi} ) 为内建电势，( V_a ) 为外加电压，( N_A ) 和 ( N_D ) 分别为受主和施主浓度。

若需进一步了解具体器件（如阶跃恢复二极管）的工作原理，建议参考半导体物理教材或专业文献。