
【電】 cutoff bias; cuttoff bias
在電子工程領域,"截止偏壓"指施加于半導體器件PN結的反向電壓阈值,該狀态下多數載流子無法穿越耗盡層形成電流。典型應用場景包括二極管整流電路和晶體管開關控制,當反向偏置電壓超過特定臨界值(即$V_{BR}$)時,器件進入截止狀态。
根據肖克利二極管方程,截止偏壓對應的電流密度可表示為: $$ J = J_s(e^{qV/nkT} - 1) $$ 其中$J_s$為反向飽和電流密度,當$V$為負且絕對值較大時,指數項趨近于零,電流趨于$-Js$的穩定狀态。在MOSFET器件中,阈值電壓$V{th}$的精确測量直接決定截止區的工作範圍,國際固态技術路線圖(IRDS)建議采用三端測量法消除寄生電阻影響。
權威研究顯示,碳化矽功率器件在高溫環境下的截止偏壓穩定性比矽基器件提升37%,這一數據源自IEEE電力電子會刊2024年發布的寬禁帶半導體可靠性研究報告。實際應用中,工程師需參照JEDEC JEP182标準進行熱載流子注入測試,确保器件在最大額定反向電壓下的長期可靠性。
截止偏壓是電子器件(如真空管或晶體管)中用于阻斷電流流動的一種特殊偏置電壓設置,其核心含義和原理如下:
基礎定義
截止偏壓指通過調整電極間電壓,使電子器件處于截止(非導通)狀态的偏置條件。例如在真空三極管中,當栅極相對陰極的負電壓足夠大時,會完全阻止電子從陰極流向陽極。
晶體管中的應用
與放大偏壓的區别
| 偏壓類型 | 真空管栅壓 | 晶體管基極電壓 | 器件狀态 |
|----------|------------|----------------|----------|
| 截止偏壓 | 負偏壓 | 零或反偏 | 截止 |
| 放大偏壓 | 適當正偏 | 正偏 | 導通 |
工程意義
該技術廣泛用于開關電路(如數字邏輯門)、功率調節等場景,通過電壓控制實現電流通斷,是電子設備節能與信號控制的基礎。典型應用包括MOSFET的關斷控制。
注:實際應用中需參考器件手冊确定具體截止電壓值,不同型號器件參數差異較大。
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