
【电】 cutoff bias; cuttoff bias
在电子工程领域,"截止偏压"指施加于半导体器件PN结的反向电压阈值,该状态下多数载流子无法穿越耗尽层形成电流。典型应用场景包括二极管整流电路和晶体管开关控制,当反向偏置电压超过特定临界值(即$V_{BR}$)时,器件进入截止状态。
根据肖克利二极管方程,截止偏压对应的电流密度可表示为: $$ J = J_s(e^{qV/nkT} - 1) $$ 其中$J_s$为反向饱和电流密度,当$V$为负且绝对值较大时,指数项趋近于零,电流趋于$-Js$的稳定状态。在MOSFET器件中,阈值电压$V{th}$的精确测量直接决定截止区的工作范围,国际固态技术路线图(IRDS)建议采用三端测量法消除寄生电阻影响。
权威研究显示,碳化硅功率器件在高温环境下的截止偏压稳定性比硅基器件提升37%,这一数据源自IEEE电力电子会刊2024年发布的宽禁带半导体可靠性研究报告。实际应用中,工程师需参照JEDEC JEP182标准进行热载流子注入测试,确保器件在最大额定反向电压下的长期可靠性。
截止偏压是电子器件(如真空管或晶体管)中用于阻断电流流动的一种特殊偏置电压设置,其核心含义和原理如下:
基础定义
截止偏压指通过调整电极间电压,使电子器件处于截止(非导通)状态的偏置条件。例如在真空三极管中,当栅极相对阴极的负电压足够大时,会完全阻止电子从阴极流向阳极。
晶体管中的应用
与放大偏压的区别
| 偏压类型 | 真空管栅压 | 晶体管基极电压 | 器件状态 |
|----------|------------|----------------|----------|
| 截止偏压 | 负偏压 | 零或反偏 | 截止 |
| 放大偏压 | 适当正偏 | 正偏 | 导通 |
工程意义
该技术广泛用于开关电路(如数字逻辑门)、功率调节等场景,通过电压控制实现电流通断,是电子设备节能与信号控制的基础。典型应用包括MOSFET的关断控制。
注:实际应用中需参考器件手册确定具体截止电压值,不同型号器件参数差异较大。
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