結式晶體管英文解釋翻譯、結式晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 junction transistor; junction type transistor

分詞翻譯：

結的英語翻譯：

congeal; form; knot; settle; vinculum; weave
【醫】 knob; knot; node; nodule; noduli; nodulus; nodus; noeud

式的英語翻譯：

ceremony; formula; model; pattern; ritual; style; type
【化】 expression
【醫】 F.; feature; formula; Ty.; type

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

結式晶體管（Junction Transistor）是一種基于半導體材料中PN結相互作用的三端電子器件，其核心原理是通過控制載流子在兩個背對背PN結之間的輸運實現信號放大與開關功能。該器件在1950年代由貝爾實驗室團隊實現商業化突破，現為現代電子系統的基石器件之一。

結構組成

典型結式晶體管由三層摻雜半導體構成，根據排列方式分為NPN型和PNP型兩類。以NPN型為例，包含發射極（N+高摻雜）、基極（P型薄層）和集電極（N型），通過合金法或擴散工藝形成兩個緊密耦合的PN結（發射結和集電結）。基極厚度通常控制在微米量級以确保載流子傳輸效率（參考：IEEE Electron Device Letters）。

工作模式

放大模式：發射結正偏、集電結反偏時，基極電流的微小變化可調控集電極電流的顯著變化，電流放大系數β值可達20-200
飽和模式：雙結正偏時呈現低阻抗特性，適用于開關電路導通狀态
截止模式：雙結反偏時僅有微量漏電流，對應開關斷開狀态（來源：Electronics Tutorials）

應用領域

射頻放大器：依托高頻響應特性應用于通信系統前端
功率調節：達林頓結構可承載數十安培電流
數字邏輯門：作為TTL電路的核心開關元件
（技術參數參考：Texas Instruments應用手冊）

技術演進方面，異質結雙極晶體管（HBT）通過引入能帶工程将截止頻率提升至300GHz以上（數據來源：Compound Semiconductor Magazine）。當前結式晶體管仍占分立器件市場份額的37%（2024年SEMI行業報告）。

網絡擴展解釋

“結式晶體管”這一表述在常規電子學術語中并不常見，但結合搜索結果和半導體基礎知識，可以推測其指的是雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT），即通過半導體材料中的PN結實現功能的晶體管類型。以下是詳細解釋：

1.基本定義

結式晶體管（BJT）是一種利用半導體材料（如矽、鍺）中形成的PN結實現電流放大或開關控制的電子器件。它由兩個PN結（發射結和集電結）組成，核心功能是通過小電流控制大電流。

2.結構組成

根據搜索結果中的描述，其結構可分為兩種類型：

NPN型：由中間的P型半導體（基極）和兩側的N型半導體（發射極、集電極）構成。
PNP型：由中間的N型半導體（基極）和兩側的P型半導體（發射極、集電極）構成。

3.工作原理

放大作用：通過基極輸入的小電流控制集電極-發射極間的大電流，實現信號放大。
開關作用：當基極電流足夠大時，晶體管飽和導通（開）；反之則截止（關）。

4.主要特點

優點：體積小、耗電低、抗震性強（相比早期真空管）。
應用領域：放大器、整流器、電子開關、穩壓電路等。

5.補充說明

“結式晶體管”可能為“雙極結型晶體管”的口語化表述，需注意與場效應晶體管（FET）區分。後者通過電場效應控制電流，而非PN結的直接導電機制。

如需更專業的電路分析或參數計算，建議參考權威電子學教材或技術手冊。