结式晶体管英文解释翻译、结式晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 junction transistor; junction type transistor

分词翻译：

结的英语翻译：

congeal; form; knot; settle; vinculum; weave
【医】 knob; knot; node; nodule; noduli; nodulus; nodus; noeud

式的英语翻译：

ceremony; formula; model; pattern; ritual; style; type
【化】 expression
【医】 F.; feature; formula; Ty.; type

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

结式晶体管（Junction Transistor）是一种基于半导体材料中PN结相互作用的三端电子器件，其核心原理是通过控制载流子在两个背对背PN结之间的输运实现信号放大与开关功能。该器件在1950年代由贝尔实验室团队实现商业化突破，现为现代电子系统的基石器件之一。

结构组成

典型结式晶体管由三层掺杂半导体构成，根据排列方式分为NPN型和PNP型两类。以NPN型为例，包含发射极（N+高掺杂）、基极（P型薄层）和集电极（N型），通过合金法或扩散工艺形成两个紧密耦合的PN结（发射结和集电结）。基极厚度通常控制在微米量级以确保载流子传输效率（参考：IEEE Electron Device Letters）。

工作模式

放大模式：发射结正偏、集电结反偏时，基极电流的微小变化可调控集电极电流的显著变化，电流放大系数β值可达20-200
饱和模式：双结正偏时呈现低阻抗特性，适用于开关电路导通状态
截止模式：双结反偏时仅有微量漏电流，对应开关断开状态（来源：Electronics Tutorials）

应用领域

射频放大器：依托高频响应特性应用于通信系统前端
功率调节：达林顿结构可承载数十安培电流
数字逻辑门：作为TTL电路的核心开关元件
（技术参数参考：Texas Instruments应用手册）

技术演进方面，异质结双极晶体管（HBT）通过引入能带工程将截止频率提升至300GHz以上（数据来源：Compound Semiconductor Magazine）。当前结式晶体管仍占分立器件市场份额的37%（2024年SEMI行业报告）。

网络扩展解释

“结式晶体管”这一表述在常规电子学术语中并不常见，但结合搜索结果和半导体基础知识，可以推测其指的是双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），即通过半导体材料中的PN结实现功能的晶体管类型。以下是详细解释：

1.基本定义

结式晶体管（BJT）是一种利用半导体材料（如硅、锗）中形成的PN结实现电流放大或开关控制的电子器件。它由两个PN结（发射结和集电结）组成，核心功能是通过小电流控制大电流。

2.结构组成

根据搜索结果中的描述，其结构可分为两种类型：

NPN型：由中间的P型半导体（基极）和两侧的N型半导体（发射极、集电极）构成。
PNP型：由中间的N型半导体（基极）和两侧的P型半导体（发射极、集电极）构成。

3.工作原理

放大作用：通过基极输入的小电流控制集电极-发射极间的大电流，实现信号放大。
开关作用：当基极电流足够大时，晶体管饱和导通（开）；反之则截止（关）。

4.主要特点

优点：体积小、耗电低、抗震性强（相比早期真空管）。
应用领域：放大器、整流器、电子开关、稳压电路等。

5.补充说明

“结式晶体管”可能为“双极结型晶体管”的口语化表述，需注意与场效应晶体管（FET）区分。后者通过电场效应控制电流，而非PN结的直接导电机制。

如需更专业的电路分析或参数计算，建议参考权威电子学教材或技术手册。