本質溫度範圍英文解釋翻譯、本質溫度範圍的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 intrinsic temiconductor; intrinsic temperature range

essence; genius; inbeing; essentiality; substance
【醫】 entity

【計】 temperature range
【化】 range of temperature

"本質溫度範圍"對應的英文表述為"intrinsic temperature range"，指材料或系統在不受外部條件幹擾時維持其固有物理化學特性的溫度區間。這一概念在材料科學、電子工程和熱力學研究中具有核心價值，主要體現在以下三個維度：

熱穩定性基礎參數
本質溫度範圍反映了物質原子鍵合強度與晶格振動模式的關系。當溫度超過該範圍上限時，晶格振動能級躍遷會導緻材料發生相變。美國國家标準與技術研究院(NIST)的熱力學數據庫收錄了超過2000種材料的本征溫度數據。
半導體器件的設計基準
在微電子領域，該參數決定晶體管載流子遷移率與漏電流的臨界值。英特爾第14代酷睿處理器采用的矽基材料，其本質溫度範圍經實驗測定為-55℃至175℃（來源：IEEE Transactions on Electron Devices）。
熱力學系統建模依據
本質溫度範圍是構建Van't Hoff方程與Arrhenius公式的重要變量，在化學反應速率計算中滿足： $$ k = A cdot e^{-frac{E_a}{RT}} $$ 其中R為理想氣體常數，T需處于反應物的本質溫度範圍（參考：《物理化學》第12版，Peter Atkins著）。

該術語的權威定義可參考《牛津材料科學詞典》(Oxford Dictionary of Materials Science)第8章熱力學特性章節，以及中國國家科技名詞審定委員會公布的材料科學名詞标準。

“本質溫度範圍”是一個結合物理屬性和具體應用場景的術語，需從以下兩方面綜合理解：

在電子材料領域（如半導體），本質溫度範圍（intrinsic temperature range）特指材料保持本征導電特性的溫度區間。例如：

矽半導體在室溫下為本征态，溫度超過500K時可能因雜質激活而失去本征特性。
該範圍與材料的禁帶寬度直接相關，可通過公式計算： $$ T_{text{intrinsic}} propto frac{E_g}{k} $$ 其中$E_g$為禁帶能量，$k$為玻爾茲曼常數。

注意：具體應用中的“本質溫度範圍”需結合上下文判斷，例如化工反應器的控溫區間或生物酶的活性溫度範圍。建議通過專業文獻進一步驗證特定術語的定義。