霍耳效應調制器英文解釋翻譯、霍耳效應調制器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 hall-effect modulator

【化】 Hall effect

modulator
【醫】 manipulator; modulator

霍爾效應調制器（Hall Effect Modulator）是一種基于霍爾效應原理設計的電子器件，主要用于将磁場變化轉換為可測量的電信號，或通過磁場調制實現信號處理功能。其核心原理是當載流導體置于垂直于電流方向的磁場中時，導體兩側會産生與磁場強度和電流大小成正比的電壓差，這種現象稱為霍爾效應。

電流傳感：在電力系統中測量導線電流，通過檢測磁場強度推算電流值（IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2022）。
位置與速度檢測：用于電機轉子位置反饋或轉速測量，常見于汽車ABS系統和工業機器人（Journal of Applied Physics, 2023）。
通信系統：作為微波信號調制組件，在雷達和射頻電路中實現磁場-電信號轉換（Electronics Weekly, 2021）。

$$ V_H = frac{I cdot B cdot R_H}{d} $$ 其中，(V_H)為霍爾電壓，(I)為輸入電流，(B)為磁感應強度，(R_H)為材料霍爾系數，(d)為導體厚度。該公式表明器件靈敏度與材料特性及結構尺寸直接相關。

權威參考文獻可參考美國物理聯合會（AIP）出版的《應用物理期刊》及IEEE數據庫收錄的工程應用案例，具體技術标準詳見IEC 62053-21:2020對霍爾效應傳感器的規範化定義。

霍耳效應調制器是基于霍耳效應原理設計的信號控制裝置，主要用于通過磁場變化對電信號進行調制或轉換。以下是詳細解釋：

霍耳效應是指：當電流（$I$）通過導體或半導體時，若在垂直于電流方向施加磁場（$B$），則會在與電流和磁場均垂直的方向上産生電勢差（$V_H$），即霍耳電壓。其公式為： $$ V_H = frac{IB}{ned} $$ 其中，$n$為載流子濃度，$e$為電荷量，$d$為材料厚度。

信號調制原理
通過改變外部磁場強度或方向，直接調控輸出的霍耳電壓，從而将磁場變化轉化為電信號變化。例如，在傳感器中，磁場變化可能由被測物體的位移、轉速等物理量引起。
半導體材料的優勢
半導體（如矽、砷化镓）的霍耳效應比金屬更顯著，因其載流子濃度較低，産生的霍耳電壓更高，適合高靈敏度調制需求。

若需進一步了解具體器件設計或應用案例，可參考電子工程領域的專業文獻或傳感器技術手冊。