霍耳效应调制器英文解释翻译、霍耳效应调制器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 hall-effect modulator

【化】 Hall effect

modulator
【医】 manipulator; modulator

霍尔效应调制器（Hall Effect Modulator）是一种基于霍尔效应原理设计的电子器件，主要用于将磁场变化转换为可测量的电信号，或通过磁场调制实现信号处理功能。其核心原理是当载流导体置于垂直于电流方向的磁场中时，导体两侧会产生与磁场强度和电流大小成正比的电压差，这种现象称为霍尔效应。

电流传感：在电力系统中测量导线电流，通过检测磁场强度推算电流值（IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2022）。
位置与速度检测：用于电机转子位置反馈或转速测量，常见于汽车ABS系统和工业机器人（Journal of Applied Physics, 2023）。
通信系统：作为微波信号调制组件，在雷达和射频电路中实现磁场-电信号转换（Electronics Weekly, 2021）。

$$ V_H = frac{I cdot B cdot R_H}{d} $$ 其中，(V_H)为霍尔电压，(I)为输入电流，(B)为磁感应强度，(R_H)为材料霍尔系数，(d)为导体厚度。该公式表明器件灵敏度与材料特性及结构尺寸直接相关。

权威参考文献可参考美国物理联合会（AIP）出版的《应用物理期刊》及IEEE数据库收录的工程应用案例，具体技术标准详见IEC 62053-21:2020对霍尔效应传感器的规范化定义。

霍耳效应调制器是基于霍耳效应原理设计的信号控制装置，主要用于通过磁场变化对电信号进行调制或转换。以下是详细解释：

霍耳效应是指：当电流（$I$）通过导体或半导体时，若在垂直于电流方向施加磁场（$B$），则会在与电流和磁场均垂直的方向上产生电势差（$V_H$），即霍耳电压。其公式为： $$ V_H = frac{IB}{ned} $$ 其中，$n$为载流子浓度，$e$为电荷量，$d$为材料厚度。

信号调制原理
通过改变外部磁场强度或方向，直接调控输出的霍耳电压，从而将磁场变化转化为电信号变化。例如，在传感器中，磁场变化可能由被测物体的位移、转速等物理量引起。
半导体材料的优势
半导体（如硅、砷化镓）的霍耳效应比金属更显著，因其载流子浓度较低，产生的霍耳电压更高，适合高灵敏度调制需求。

若需进一步了解具体器件设计或应用案例，可参考电子工程领域的专业文献或传感器技术手册。