化學氣相沉積英文解釋翻譯、化學氣相沉積的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 chemical vapor deposition(CVD); CVD

分詞翻譯：

化學的英語翻譯：

chemistry
【化】 chemistry
【醫】 chemistry; chemo-; spagyric medicine

氣相的英語翻譯：

【化】 gaseous phase

沉積的英語翻譯：

sediment
【化】 deposition
【醫】 deposit; sedimentation; sludging

專業解析

化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD）是一種利用氣态前驅體在高溫基體表面發生化學反應，生成固态薄膜材料的關鍵工藝技術。其核心是通過可控的氣相化學反應，在基材上沉積高純度、高性能的薄膜或塗層。

一、術語解析（漢英對照）

化學 (Chemical)
指反應過程涉及氣體分子間的化學反應（如熱分解、氧化還原、水解等），區别于物理氣相沉積（PVD）的物理過程。

英譯：Relies on chemical reactions between gaseous precursors.
氣相 (Vapor Phase)
反應物以氣态形式輸送到沉積腔室，在高溫下形成活性基團。

英譯：Reactants are delivered in gaseous state and activated at elevated temperatures.
沉積 (Deposition)
反應産物在基體表面成核、生長，形成緻密薄膜或塗層。

英譯：Solid reaction products nucleate and grow into thin films on substrates.

二、技術原理與典型反應

CVD過程包含三個核心步驟：

前驅體輸運：氣态反應物（如SiH₄、CH₄、WF₆）通過載氣（H₂、N₂）進入反應室。
表面反應：前驅體在加熱基片（500–1200°C）表面發生反應，例如：
$$ce{SiH4(g) ->[Delta] Si(s) + 2H2(g)} quad text{(矽沉積)}$$

$$ce{CH4(g) ->[Delta] C(s) + 2H2(g)} quad text{(金剛石膜沉積)}$$

副産物排除：氣态副産物（如HCl、H₂O）被真空系統抽離。

三、核心應用領域

半導體制造
- 沉積二氧化矽（SiO₂）絕緣層、多晶矽栅極、氮化矽（Si₃N₄）鈍化層。
- 來源：國際半導體技術路線圖（ITRS）
硬質塗層
- 刀具表面鍍TiN（氮化钛）、TiC（碳化钛）提升耐磨性。
- 來源：美國材料信息學會（ASM International）
光學薄膜
- 制備增透膜（如MgF₂）、反射膜（如Al₂O₃/TiO₂多層結構）。
- 來源：美國光學學會（OSA）出版物

四、權威定義參考

根據《材料科學技術名詞》（科學出版社，2011）：

“化學氣相沉積是通過氣相化學物質在基體表面反應生成固态沉積物的技術，具有成膜均勻、附着力強、可大面積制備的特點。”

注：因未搜索到可直接引用的網頁鍊接，以上來源機構為相關領域公認權威組織，其公開文獻可進一步查閱具體技術細節。

網絡擴展解釋

化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）是一種通過氣相化學反應在基體表面沉積固體薄膜的工藝技術。以下是綜合多個權威來源的詳細解釋：

1.定義與本質

CVD通過氣态或蒸汽态的反應物質在基體表面發生化學反應，生成固态物質并沉積成薄膜。其核心是原子層面的氣态傳質過程，與物理氣相沉積（PVD）形成對比。例如，在半導體制造中，CVD用于沉積外延矽、電介質層等薄膜。

2.基本原理

CVD過程通常分為三步：

反應物揮發：将原料轉化為氣态或蒸汽态；
氣相傳輸：反應氣體轉移至基體表面；
表面反應與沉積：在基體表面發生化學反應，生成固态薄膜。
常見的反應類型包括熱分解、化學合成及化學傳輸反應。

3.技術特點

溫度範圍廣：可在中高溫或低溫（通過等離子體輔助）下進行；
沉積條件靈活：支持常壓或真空環境，真空條件通常能提高膜層質量；
成分可控：通過調節氣體組分實現梯度沉積或混合鍍層；
適用性廣泛：適用于金屬、化合物、聚合物等多種材料。

4.應用領域

半導體制造：沉積集成電路中的絕緣層、導電層等；
功能材料：制備耐磨、抗氧化或光學塗層（如太陽能電池）；
納米材料：生産高純度粉末或異形結構材料。

5.與PVD的對比

CVD依賴化學反應生成薄膜，而物理氣相沉積（PVD）通過物理過程（如蒸發、濺射）轉移材料，兩者在工藝原理和應用場景上存在顯著差異。

如需進一步了解具體工藝參數或案例，可參考搜狗百科、半導體工藝解析等來源。