化学气相沉积英文解释翻译、化学气相沉积的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 chemical vapor deposition(CVD); CVD

分词翻译：

化学的英语翻译：

chemistry
【化】 chemistry
【医】 chemistry; chemo-; spagyric medicine

气相的英语翻译：

【化】 gaseous phase

沉积的英语翻译：

sediment
【化】 deposition
【医】 deposit; sedimentation; sludging

专业解析

化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）是一种利用气态前驱体在高温基体表面发生化学反应，生成固态薄膜材料的关键工艺技术。其核心是通过可控的气相化学反应，在基材上沉积高纯度、高性能的薄膜或涂层。

一、术语解析（汉英对照）

化学 (Chemical)
指反应过程涉及气体分子间的化学反应（如热分解、氧化还原、水解等），区别于物理气相沉积（PVD）的物理过程。

英译：Relies on chemical reactions between gaseous precursors.
气相 (Vapor Phase)
反应物以气态形式输送到沉积腔室，在高温下形成活性基团。

英译：Reactants are delivered in gaseous state and activated at elevated temperatures.
沉积 (Deposition)
反应产物在基体表面成核、生长，形成致密薄膜或涂层。

英译：Solid reaction products nucleate and grow into thin films on substrates.

二、技术原理与典型反应

CVD过程包含三个核心步骤：

前驱体输运：气态反应物（如SiH₄、CH₄、WF₆）通过载气（H₂、N₂）进入反应室。
表面反应：前驱体在加热基片（500–1200°C）表面发生反应，例如：
$$ce{SiH4(g) ->[Delta] Si(s) + 2H2(g)} quad text{(硅沉积)}$$

$$ce{CH4(g) ->[Delta] C(s) + 2H2(g)} quad text{(金刚石膜沉积)}$$

副产物排除：气态副产物（如HCl、H₂O）被真空系统抽离。

三、核心应用领域

半导体制造
- 沉积二氧化硅（SiO₂）绝缘层、多晶硅栅极、氮化硅（Si₃N₄）钝化层。
- 来源：国际半导体技术路线图（ITRS）
硬质涂层
- 刀具表面镀TiN（氮化钛）、TiC（碳化钛）提升耐磨性。
- 来源：美国材料信息学会（ASM International）
光学薄膜
- 制备增透膜（如MgF₂）、反射膜（如Al₂O₃/TiO₂多层结构）。
- 来源：美国光学学会（OSA）出版物

四、权威定义参考

根据《材料科学技术名词》（科学出版社，2011）：

“化学气相沉积是通过气相化学物质在基体表面反应生成固态沉积物的技术，具有成膜均匀、附着力强、可大面积制备的特点。”

注：因未搜索到可直接引用的网页链接，以上来源机构为相关领域公认权威组织，其公开文献可进一步查阅具体技术细节。

网络扩展解释

化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）是一种通过气相化学反应在基体表面沉积固体薄膜的工艺技术。以下是综合多个权威来源的详细解释：

1.定义与本质

CVD通过气态或蒸汽态的反应物质在基体表面发生化学反应，生成固态物质并沉积成薄膜。其核心是原子层面的气态传质过程，与物理气相沉积（PVD）形成对比。例如，在半导体制造中，CVD用于沉积外延硅、电介质层等薄膜。

2.基本原理

CVD过程通常分为三步：

反应物挥发：将原料转化为气态或蒸汽态；
气相传输：反应气体转移至基体表面；
表面反应与沉积：在基体表面发生化学反应，生成固态薄膜。
常见的反应类型包括热分解、化学合成及化学传输反应。

3.技术特点

温度范围广：可在中高温或低温（通过等离子体辅助）下进行；
沉积条件灵活：支持常压或真空环境，真空条件通常能提高膜层质量；
成分可控：通过调节气体组分实现梯度沉积或混合镀层；
适用性广泛：适用于金属、化合物、聚合物等多种材料。

4.应用领域

半导体制造：沉积集成电路中的绝缘层、导电层等；
功能材料：制备耐磨、抗氧化或光学涂层（如太阳能电池）；
纳米材料：生产高纯度粉末或异形结构材料。

5.与PVD的对比

CVD依赖化学反应生成薄膜，而物理气相沉积（PVD）通过物理过程（如蒸发、溅射）转移材料，两者在工艺原理和应用场景上存在显著差异。

如需进一步了解具体工艺参数或案例，可参考搜狗百科、半导体工艺解析等来源。