環形電晶體英文解釋翻譯、環形電晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 annular transistor

分詞翻譯：

環形的英語翻譯：

【計】 ring type
【醫】 ring form

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶體的英語翻譯：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

專業解析

環形電晶體（Annular Field-Effect Transistor，簡稱 Annular FET）是一種特殊結構的場效應晶體管（FET），其核心特征在于其栅極（Gate）電極呈現環形結構，環繞着中間的溝道區域。這種設計主要應用于垂直導電型功率器件（如功率MOSFET），旨在優化器件的電氣性能和散熱能力。

以下是其詳細解釋：

結構特征：
- 環形栅極：與傳統平面栅極不同，環形電晶體的栅極是一個或多個同心圓環結構。這些栅極環通常制作在矽片表面，圍繞着一個中心區域（通常是源極接觸區）。
- 垂直電流流動：在功率應用中，環形電晶體通常是垂直器件。電流主要垂直于矽片表面流動，從頂部的源極（Source），經過被栅極控制的溝道區，流向底部的漏極（Drain）。環形栅極控制着其下方溝道的導通與關斷。
- 單元結構：一個功率環形電晶體芯片由成千上萬個微小的環形栅極單元并聯組成，以增大電流處理能力。這些單元緊密排列，形成蜂窩狀或條狀陣列。
工作原理：
- 環形電晶體的工作原理基于标準的場效應晶體管原理，即通過改變栅極電壓來控制源極和漏極之間溝道的導電性（多數載流子類型取決于是N溝道還是P溝道）。
- 當在栅極（相對于源極）施加足夠高的正電壓（N溝道）時，會在栅極下方的半導體表面形成反型層（溝道），連接源極和漏極的漂移區，允許電流垂直流過。
- 移除栅極電壓或施加負電壓，溝道消失，電流被阻斷。
設計目的與優勢：
- 降低導通電阻：環形結構允許在單位面積内集成更多的溝道寬度（栅極周長），從而顯著降低器件的導通電阻。這是功率MOSFET的關鍵參數，直接影響導通損耗和效率。
- 提高開關速度：較小的栅極面積有助于減小栅極電荷和栅極電容，從而提升器件的開關速度，降低開關損耗。
- 優化散熱：環形單元結構有助于更均勻地分布電流和熱量，改善散熱性能，這對于高功率應用至關重要。
- 提高電流處理能力：密集的單元排布使得器件能夠在較小的芯片面積上承受更大的電流。
主要應用：
- 環形電晶體結構廣泛應用于現代功率MOSFET中，特别是中高壓（幾十伏至上千伏）器件。
- 它們是開關電源（SMPS）、DC-DC轉換器、電機驅動、逆變器（如太陽能逆變器、UPS）等電力電子系統的核心開關元件。

環形電晶體是一種具有環形栅極結構的場效應晶體管，主要用于功率半導體領域（尤其是功率MOSFET）。其環形設計通過在單位面積内最大化溝道寬度，有效降低了導通電阻，提高了電流密度和開關速度，同時優化了散熱性能，使其成為高效電力轉換和開關應用的理想選擇。

網絡擴展解釋

"環形電晶體"對應的英文術語為 annular transistor，屬于電子學領域的專業詞彙。以下是詳細解析：

基本定義指電極結構呈環形排列的晶體管類型，這種特殊設計通常用于優化電流分布或提升高頻性能。晶體管作為半導體器件，其核心功能是通過輸入信號控制輸出電流。
結構特征 • 環形布局：區别于傳統平面結構，其基極、發射極等電極呈同心圓環狀排列 • 三維構造：可能采用立體堆疊工藝增強載流子傳輸效率 • 散熱優勢：環形結構有利于熱量均勻擴散
應用領域主要見于高頻電路、功率放大器等場景，但需注意： • 該術語在2003年的詞典中已有收錄 • 現代半導體技術中更常見"平面型晶體管"或"鳍式場效晶體管(FinFET)" • 可能用于特殊需求的射頻元件或早期電子設備

注：由于搜索結果未提供詳細技術參數，以上分析結合了晶體管基礎原理與命名規則。如需具體器件參數，建議查閱IEEE文獻或半導體器件手冊。