合接負阻二極體英文解釋翻譯、合接負阻二極體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 bnr diode; bonded negative resistance diode

分詞翻譯：

合的英語翻譯：

add up to; be equal to; close; combine; join; proper; shut; suit; whole
【醫】 con-; sym-; syn-

接的英語翻譯：

receive; accept
【電】 connecting

負阻的英語翻譯：

【計】 negative impedance

二的英語翻譯：

twin; two
【計】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【醫】 bi-; bis-; di-; duo-

極體的英語翻譯：

【醫】 corpora polare; polar bo***s; polar cells; polar globules; polocyte

專業解析

在電子工程領域，"合接負阻二極體"對應的英文術語為Junction Negative Resistance Diode，特指基于PN結結構的半導體器件。這類器件在特定偏置條件下會呈現電壓增加導緻電流減小的負微分電阻特性，典型代表為江崎二極管（Esaki Diode）。

該器件的核心特征體現在：

量子隧穿效應：通過重摻雜形成的極窄耗盡層，使電子能夠穿越勢壘形成隧穿電流，這一現象由日本物理學家江崎玲于奈在1957年發現
負阻區域：在正向偏置電壓0.1-0.3V區間，電流隨電壓升高而下降，形成電壓-電流特性曲線的谷值區
高頻特性：因載流子渡越時間極短，適用于微波振蕩器和高速開關電路，工作頻率可達毫米波段

典型應用包括：

低噪聲微波放大器
高頻振蕩器核心元件
高速脈沖電路中的觸發器件
量子計算中的隧穿電流控制器

相關技術标準可參考IEEE Std 581-1978對負阻器件的測試規範，具體參數指标詳見國際固态電路會議（ISSCC）曆年論文集。美國國家标準技術研究院（NIST）數據庫收錄了該器件的完整特征曲線數據。

網絡擴展解釋

"合接負阻二極體"對應的英文術語為BNR Diode（全稱Bonded Negative Resistance Diode），屬于具有特殊電學特性的半導體器件。以下是綜合解釋：

基本定義
該器件通過材料接合（bonded）工藝實現，核心特性是呈現負電阻效應，即在一定電壓範圍内，電流隨電壓增加而減小。這種特性與普通二極管單向導電性不同。
功能特點
- 負阻特性使其可用于高頻振蕩電路、脈沖生成電路或開關電路中。
- 接合工藝可能涉及不同半導體材料的結合，以優化性能（如降低損耗或提升響應速度）。
應用場景
常見于早期微波通信設備、雷達系統等高頻電子裝置中，現代部分特殊傳感器也可能采用類似原理。

由于搜索結果權威性較低，建議通過專業電子工程手冊或IEEE文獻進一步驗證具體參數及技術演進。