合接负阻二极体英文解释翻译、合接负阻二极体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 bnr diode; bonded negative resistance diode

分词翻译：

合的英语翻译：

add up to; be equal to; close; combine; join; proper; shut; suit; whole
【医】 con-; sym-; syn-

接的英语翻译：

receive; accept
【电】 connecting

负阻的英语翻译：

【计】 negative impedance

二的英语翻译：

twin; two
【计】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【医】 bi-; bis-; di-; duo-

极体的英语翻译：

【医】 corpora polare; polar bo***s; polar cells; polar globules; polocyte

专业解析

在电子工程领域，"合接负阻二极体"对应的英文术语为Junction Negative Resistance Diode，特指基于PN结结构的半导体器件。这类器件在特定偏置条件下会呈现电压增加导致电流减小的负微分电阻特性，典型代表为江崎二极管（Esaki Diode）。

该器件的核心特征体现在：

量子隧穿效应：通过重掺杂形成的极窄耗尽层，使电子能够穿越势垒形成隧穿电流，这一现象由日本物理学家江崎玲于奈在1957年发现
负阻区域：在正向偏置电压0.1-0.3V区间，电流随电压升高而下降，形成电压-电流特性曲线的谷值区
高频特性：因载流子渡越时间极短，适用于微波振荡器和高速开关电路，工作频率可达毫米波段

典型应用包括：

低噪声微波放大器
高频振荡器核心元件
高速脉冲电路中的触发器件
量子计算中的隧穿电流控制器

相关技术标准可参考IEEE Std 581-1978对负阻器件的测试规范，具体参数指标详见国际固态电路会议（ISSCC）历年论文集。美国国家标准技术研究院（NIST）数据库收录了该器件的完整特征曲线数据。

网络扩展解释

"合接负阻二极体"对应的英文术语为BNR Diode（全称Bonded Negative Resistance Diode），属于具有特殊电学特性的半导体器件。以下是综合解释：

基本定义
该器件通过材料接合（bonded）工艺实现，核心特性是呈现负电阻效应，即在一定电压范围内，电流随电压增加而减小。这种特性与普通二极管单向导电性不同。
功能特点
- 负阻特性使其可用于高频振荡电路、脉冲生成电路或开关电路中。
- 接合工艺可能涉及不同半导体材料的结合，以优化性能（如降低损耗或提升响应速度）。
应用场景
常见于早期微波通信设备、雷达系统等高频电子装置中，现代部分特殊传感器也可能采用类似原理。

由于搜索结果权威性较低，建议通过专业电子工程手册或IEEE文献进一步验证具体参数及技术演进。