
【化】 Gouy-Chapman double layer
age-old; ancient
【醫】 palae-; paleo-
according to; comply with; depend on
【醫】 cata-; kat-
check; consult; examine; investigate
general; universal
graceful; prolonged
double deck
古依-查普曼雙層(Gouy-Chapman Double Layer)是電化學中描述電極/電解質溶液界面結構的重要理論模型。該模型由法國科學家古依(Louis Georges Gouy) 于1910年和英國科學家查普曼(David Leonard Chapman) 于1913年分别獨立提出,用于解釋固液界面處電荷分布與電勢變化規律。其核心内容如下:
在帶電電極表面(如金屬電極浸入電解質溶液),溶液中的反離子(與電極電荷相反的離子)受靜電吸引,在界面附近聚集,形成空間電荷分布。該區域由兩部分構成:
電荷分布規律
擴散層内離子濃度服從玻爾茲曼分布。電勢 (psi) 隨距離 (x) 呈指數衰減:
$$ psi = psi_0 exp(-kappa x) $$
其中 (psi_0) 為表面電勢,(kappa) 為德拜長度倒數(與離子強度相關)。
雙電層厚度
厚度由德拜長度 (kappa^{-1}) 表征:
$$ kappa^{-1} = sqrt{frac{varepsilon_r varepsilon_0 kT}{2e I}} $$
(varepsilon_r) 為介電常數,(I) 為離子強度,(e) 為元電荷。
電勢與電荷密度的關系
表面電荷密度 (sigma) 與表面電勢 (psi_0) 滿足:
$$ sigma = sqrt{8 varepsilon_r varepsilon_0 kT c_0} sinhleft(frac{epsi_0}{2kT}right) $$
(c_0) 為溶液本體濃度。
雙電層行為類似電容器,其微分電容公式為:
$$ C = frac{varepsilon_r varepsilon_0}{kappa^{-1}} coshleft(frac{epsi_0}{2kT}right) $$
為電化學阻抗譜(EIS)分析奠定基礎。
界面電勢分布直接影響電極反應速率(如通過Butler-Volmer方程中的活化能修正)。
古依-查普曼雙層(Gouy-Chapman double layer)是描述電極-溶液界面或膠體顆粒表面雙電層結構的經典理論模型,由法國科學家古依(Gouy)和英國科學家查普曼(Chapman)于1910-1913年間提出。該模型突破了亥姆霍茲(Helmholtz)的平闆電容器模型假設,引入了離子熱運動對電荷分布的影響。
分散電荷分布
溶液中的反號離子并非緊密排列在界面附近,而是受熱運動影響形成擴散層。電荷密度隨距離界面增加呈指數衰減,服從波爾茲曼分布定律。數學表達式為:
$$
ci(x) = c{i0} expleft(-frac{z_i e phi(x)}{k_B T}right)
$$
其中,(c_i(x))為距離x處的離子濃度,(z_i)為離子價态,(phi(x))為電勢,(k_B)為玻爾茲曼常數,(T)為溫度。
電荷平衡特性
金屬電極表面電荷密度與溶液一側的剩餘電荷密度相等,但符號相反,滿足電中性原則。
理論局限性
該模型為電化學界面行為(如電容、電泳)和膠體穩定性分析提供了理論基礎,并推動了後續雙電層理論的發展。其核心思想也被德拜-休克爾(Debye-Hückel)電解質理論借鑒。
如需進一步了解模型數學推導或具體應用場景,可參考電化學教材或相關學術文獻。
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