矽控制整流器英文解釋翻譯、矽控制整流器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 scr

分詞翻譯：

矽的英語翻譯：

silicon
【醫】 Si; silicium; silicon

控制的英語翻譯：

control; dominate; desist; grasp; hold; manage; master; predominate; rein
rule
【計】 C; control; controls; dominance; gated; gating; governing
【醫】 control; dirigation; encraty
【經】 check; command; control; controlling; cost control; dominantion
monitoring; regulate; rig

整流器的英語翻譯：

commutator; rectifier
【化】 commutator; current rectifier; rectifier
【醫】 commutator; rectifier

專業解析

矽控制整流器（Silicon Controlled Rectifier，簡稱SCR），是一種具有三個PN結的四層（P-N-P-N）大功率半導體器件，通常由三個電極組成：陽極（A）、陰極（K）和門極（G）。它是晶閘管（Thyristor）家族中最基本、應用最廣泛的一種類型。

1. 基本結構與工作原理 SCR本質上是一個可控的單向導通開關。在陽極和陰極之間施加正向電壓（陽極正、陰極負）時，若門極無觸發信號，SCR處于正向阻斷狀态（關斷狀态）。當門極接收到一個正向觸發電流脈沖時，SCR會迅速從關斷狀态轉變為導通狀态，此時即使移除門極信號，隻要陽極電流大于其維持電流（Holding Current），SCR将保持導通。隻有當陽極電流減小到維持電流以下，或陽極-陰極電壓反向（或降至接近零），SCR才會關斷。其導通原理基于半導體内部的再生反饋機制。其正向轉折電壓（Breakover Voltage）公式可表示為： $$ V{BO} = V{BR} left(1 - frac{IG}{I{GT}}right)^n $$ 其中，$V_{BR}$是門極開路時的轉折電壓，$IG$是門極電流，$I{GT}$是觸發電流，$n$是常數。

2. 核心功能與特性

單向導電性：僅允許電流從陽極流向陰極。
可控導通：導通時刻由門極觸發信號精确控制。
半控特性：隻能控制其導通，不能直接控制其關斷（需依賴外部電路條件）。
大電流/高電壓處理能力：設計用于處理高功率，廣泛應用于電力電子領域。
低導通壓降：導通時功耗相對較低。

3. 主要應用領域 SCR因其高功率處理能力和可靠性，被廣泛應用于：

交流調壓/調功：如燈光調節、電加熱控制。
電機調速控制：直流電機、交流電機的速度調節。
整流：将交流電轉換為可控的直流電（可控整流）。
靜态開關：用于無觸點接通或斷開交流或直流電源。
逆變與變頻：某些變頻電路中的關鍵元件。
過壓保護：用作撬棒電路（Crowbar）保護設備。

4. 關鍵參數

斷态重複峰值電壓 ($V_{DRM}$)：可重複施加的最大正向阻斷電壓。
反向重複峰值電壓 ($V_{RRM}$)：可重複施加的最大反向阻斷電壓。
通态平均電流 ($I_{T(AV)}$)：在規定的散熱條件下允許通過的最大平均電流。
門極觸發電流 ($I_{GT}$)：使SCR從斷态轉入通态所需的最小門極電流。
門極觸發電壓 ($V_{GT}$)：産生門極觸發電流所需的最小門極電壓。
維持電流 ($I_H$)：保持SCR導通所需的最小陽極電流。
擎住電流 ($I_L$)：觸發後，使SCR在移除門極信號後仍能維持導通所需的最小陽極電流（通常略大于 $I_H$）。

矽控制整流器（SCR）是一種通過門極信號控制其導通時刻的功率半導體開關器件，具有單向導電性、半控特性以及高功率處理能力。它是電力電子技術中實現交流電變換、功率控制和電機調速等功能的基石器件之一。

參考資料：

IEEE Power Electronics Society. IEEE Standard Dictionary of Electrical and Electronics Terms. IEEE Std 100. (權威術語定義标準)
Mohan, Undeland, Robbins. Power Electronics: Converters, Applications, and Design. Wiley. (經典教材，詳述原理與應用)
ON Semiconductor. Thyristor Theory and Design Considerations. Application Note. (半導體制造商技術文檔)
Infineon Technologies. Thyristors / SCRs Datasheets and Application Notes. (器件參數與應用指南)

網絡擴展解釋

矽控制整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），又稱可控矽整流器或晶閘管，是一種基于半導體技術的電力電子器件，主要用于将交流電轉換為可控的直流電。以下是其核心要點：

1.基本定義與結構

定義：SCR是一種具有四層PNPN結構的半導體器件，屬于晶閘管家族中的典型代表。它通過控制極（門極）信號實現單向導電性的可控導通。
電極組成：包含陽極（A）、陰極（K）和控制極（G）三個電極。導通需滿足陽極-陰極正向電壓和控制極觸發電流的條件。

2.工作原理

單向導電性：與二極管類似，僅在陽極-陰極正向電壓下導通，但需額外控制極觸發信號。
觸發控制：在交流電正半周時，通過調節控制極觸發脈沖的相位（移相控制），可改變導通角，從而控制輸出電壓的平均值。負半周時SCR自動關斷。

3.關鍵特點

高效可控：相比傳統二極管整流，SCR可精确調節輸出電壓/電流。
快速響應：無機械部件，開關速度快，適合高頻應用。
體積優勢：結構緊湊，重量輕，可靠性高。

4.典型應用

整流電路：如單相半波/全波、三相橋式整流電路，将交流電轉為可調直流電。
電力控制：用于電機調速、調光系統、電焊設備等需功率調節的場景。

公式示例（可控整流輸出電壓）

單相半波可控整流的平均輸出電壓為： $$ V_{dc} = frac{V_m}{2pi}(1 + cosalpha) $$ 其中，$V_m$為輸入電壓峰值，$alpha$為觸發延遲角。

如需進一步了解具體電路設計或應用案例，可參考高權威性來源（如、5、7）。