刻蝕浴英文解釋翻譯、刻蝕浴的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 etching bath

【計】 etch

bath
【醫】 balneum; bath

在半導體制造和微電子加工領域，“刻蝕浴”是一個重要的工藝概念，其漢英對應及詳細解釋如下：

刻蝕浴 (Etch Bath)

指在濕法刻蝕（Wet Etching）工藝中，盛放化學蝕刻液的容器或槽體。晶圓或其他待加工基片浸入該浴槽内，通過化學溶液與材料表面的選擇性反應，去除特定區域的薄膜或基底材料，實現圖形轉移或表面形貌調控。

工藝原理
刻蝕浴中的溶液（如氫氟酸HF用于二氧化矽刻蝕、磷酸用于氮化矽）與暴露的材料發生氧化還原反應，溶解未被光刻膠保護的區域。其選擇性由溶液成分、濃度、溫度及材料性質共同決定。
關鍵參數控制
- 溫度：通常需恒溫控制（如25°C±0.5°C）以穩定反應速率。
- 均勻性：通過機械攪拌、兆聲波（Megasonic）或氣泡擾動避免刻蝕不均。
- 溶液壽命：監控金屬離子濃度和pH值，防止副産物積累導緻刻蝕速率衰減。
應用場景
- 矽晶圓的清洗與表面粗化。
- 集成電路制造中介質層（如SiO₂）的圖形化。
- MEMS器件中體矽刻蝕（常用KOH、TMAH溶液）。

（數據綜合自半導體工藝标準文獻

《半導體制造技術》（Semiconductor Manufacturing Technology）
Michael Quirk 等學者系統闡述濕法刻蝕工藝參數與浴槽設計原則（詳見Chapter 7: Wet Etching）。

注：因未搜索到可驗證的實時網頁鍊接，以上引用保留來源名稱供讀者按文獻名檢索權威資料。

“刻蝕浴”是一個專業術語，結合“刻蝕”和“浴”的含義可推斷其大緻指代：

詞義解析
- 刻蝕：指通過化學或物理方法去除材料表面特定區域的過程，常見于半導體制造、金屬加工等領域。
- 浴：原指浸泡身體的洗浴行為（如中提到的“洗身”），引申為物質在液體中的浸漬處理環境。例如化學中的“水浴”“酸浴”等。
可能的實際含義
“刻蝕浴”可能指一種液體刻蝕環境，即将待加工材料浸入特定化學溶液中，通過溶液與材料的反應實現刻蝕。這種工藝常見于濕法刻蝕（Wet Etching），例如用氫氟酸溶液蝕刻矽片。
應用場景
- 半導體行業：用于芯片制造中的薄膜刻蝕。
- 金屬表面處理：如去除氧化層或圖案化加工。

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