刻蚀浴英文解释翻译、刻蚀浴的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 etching bath

【计】 etch

bath
【医】 balneum; bath

在半导体制造和微电子加工领域，“刻蚀浴”是一个重要的工艺概念，其汉英对应及详细解释如下：

刻蚀浴 (Etch Bath)

指在湿法刻蚀（Wet Etching）工艺中，盛放化学蚀刻液的容器或槽体。晶圆或其他待加工基片浸入该浴槽内，通过化学溶液与材料表面的选择性反应，去除特定区域的薄膜或基底材料，实现图形转移或表面形貌调控。

工艺原理
刻蚀浴中的溶液（如氢氟酸HF用于二氧化硅刻蚀、磷酸用于氮化硅）与暴露的材料发生氧化还原反应，溶解未被光刻胶保护的区域。其选择性由溶液成分、浓度、温度及材料性质共同决定。
关键参数控制
- 温度：通常需恒温控制（如25°C±0.5°C）以稳定反应速率。
- 均匀性：通过机械搅拌、兆声波（Megasonic）或气泡扰动避免刻蚀不均。
- 溶液寿命：监控金属离子浓度和pH值，防止副产物积累导致刻蚀速率衰减。
应用场景
- 硅晶圆的清洗与表面粗化。
- 集成电路制造中介质层（如SiO₂）的图形化。
- MEMS器件中体硅刻蚀（常用KOH、TMAH溶液）。

（数据综合自半导体工艺标准文献

《半导体制造技术》（Semiconductor Manufacturing Technology）
Michael Quirk 等学者系统阐述湿法刻蚀工艺参数与浴槽设计原则（详见Chapter 7: Wet Etching）。

注：因未搜索到可验证的实时网页链接，以上引用保留来源名称供读者按文献名检索权威资料。

“刻蚀浴”是一个专业术语，结合“刻蚀”和“浴”的含义可推断其大致指代：

词义解析
- 刻蚀：指通过化学或物理方法去除材料表面特定区域的过程，常见于半导体制造、金属加工等领域。
- 浴：原指浸泡身体的洗浴行为（如中提到的“洗身”），引申为物质在液体中的浸渍处理环境。例如化学中的“水浴”“酸浴”等。
可能的实际含义
“刻蚀浴”可能指一种液体刻蚀环境，即将待加工材料浸入特定化学溶液中，通过溶液与材料的反应实现刻蚀。这种工艺常见于湿法刻蚀（Wet Etching），例如用氢氟酸溶液蚀刻硅片。
应用场景
- 半导体行业：用于芯片制造中的薄膜刻蚀。
- 金属表面处理：如去除氧化层或图案化加工。

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