刻蝕法英文解釋翻譯、刻蝕法的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 etching method

分詞翻譯：

刻蝕的英語翻譯：

【計】 etch

法的英語翻譯：

dharma; divisor; follow; law; standard
【醫】 method
【經】 law

專業解析

刻蝕法（Etching），在漢英詞典中通常對應英文術語"Etching" 或更具體地指"Etching Process/Technique"。它是一種利用物理或化學手段，選擇性地去除材料表面特定區域，從而在基底上形成所需圖案或結構的精密加工技術。該技術是微電子、微機電系統（MEMS）、光電子器件制造等領域的核心工藝之一。

一、核心含義解析

工藝本質：
- 漢義：指通過特定手段（化學腐蝕、物理轟擊或兩者結合）有選擇性地移除材料表層的過程。
- 英譯：A process of selectively removing material from the surface of a substrate by chemical reaction, physical bombardment, or a combination of both.
- 關鍵：強調“選擇性”（Selectivity），即保護不需要刻蝕的區域（通常通過光刻膠掩模實現），隻對暴露區域進行刻蝕。
目的與應用：
- 漢義：用于在半導體晶圓、玻璃、金屬等材料上制造微細圖形、溝槽、通孔或三維結構，是集成電路（IC）、傳感器、光學元件等制造的關鍵步驟。
- 英譯：Used to create fine patterns, trenches, vias, or three-dimensional structures on materials such as semiconductor wafers, glass, and metals. It is a critical step in the fabrication of integrated circuits (ICs), sensors, optical components, etc.

二、主要分類（漢英對照）

濕法刻蝕 (Wet Etching)：
- 利用液态化學試劑（酸、堿或特定腐蝕液）與材料發生化學反應來溶解去除材料。選擇性高，各向異性差（各方向刻蝕速率相近）。
- 英譯：Uses liquid chemical reagents (acids, alkalis, or specific etchants) to dissolve and remove material through chemical reactions. High selectivity, poor anisotropy (etch rate similar in all directions).
幹法刻蝕 (Dry Etching)：
- 利用等離子體中的活性粒子（離子、自由基）進行刻蝕。主要包括：
  - 等離子體刻蝕 (Plasma Etching)：主要依賴化學反應。
  - 反應離子刻蝕 (Reactive Ion Etching, RIE)：結合化學反應和物理離子轟擊，具有較好的各向異性。
  - 離子束刻蝕 (Ion Beam Etching, IBE) /濺射刻蝕 (Sputter Etching)：主要依賴物理轟擊，各向異性好，選擇性較低。
- 英譯：Uses reactive species (ions, radicals) in a plasma to etch materials. Main types include:
  - Plasma Etching: Primarily relies on chemical reactions.
  - Reactive Ion Etching (RIE): Combines chemical reactions and physical ion bombardment, offering good anisotropy.
  - Ion Beam Etching (IBE) / Sputter Etching: Primarily relies on physical bombardment, excellent anisotropy, lower selectivity.

三、技術關鍵參數（漢英對照）

刻蝕速率 (Etch Rate)：單位時間内材料被移除的厚度。
選擇性 (Selectivity)：刻蝕工藝對目标材料與掩模材料或下層材料刻蝕速率的比值。
各向異性 (Anisotropy)：刻蝕在垂直方向與水平方向速率的差異程度。高各向異性利于形成陡直的側壁。
均勻性 (Uniformity)：刻蝕速率在整個晶圓表面或不同批次間的一緻性。
損傷 (Damage)：刻蝕過程對材料表面或内部結構可能造成的物理或化學損傷。

四、權威定義參考來源

《微電子制造科學原理與工程技術》(Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing) - Peter Van Zant：該書是半導體工藝領域的經典教材，對各類刻蝕技術（濕法、幹法、RIE等）的原理、設備、工藝參數和應用有系統闡述。
《半導體器件物理與工藝》(Physics of Semiconductor Devices / Semiconductor Devices: Physics and Technology) - S.M. Sze：Sze的著作是半導體領域的權威參考書，其中對刻蝕工藝在器件制造中的作用和基本類型有清晰定義和講解。
國際半導體技術發展路線圖 (International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS) 及其繼任者國際器件與系統路線圖 (IRDS)：這些行業路線圖文件詳細定義了先進集成電路制造中對刻蝕技術（特别是高精度幹法刻蝕）的要求和發展方向，是技術定義的行業基準。

網絡擴展解釋

刻蝕法（Etching）是半導體制造中的核心工藝之一，主要用于将光刻形成的圖形精确轉移到晶圓表面材料上，通過物理或化學方法選擇性去除特定區域的材料，最終形成集成電路所需的微觀結構。以下是詳細解析：

一、核心定義

刻蝕法是通過物理或化學手段，有選擇性地去除晶圓表面未被光刻膠保護的材料的過程。其核心目标是複制光刻掩模圖形，并保證圖形轉移的精确性。在芯片制造流程中，刻蝕位于光刻之後，需與光刻工藝高度協同，直接影響器件的性能和良率。

二、主要分類及原理

刻蝕法主要分為濕法刻蝕和幹法刻蝕兩類：

濕法刻蝕（Wet Etching）
- 原理：利用化學溶液（如氫氟酸、硝酸等）與材料發生化學反應，溶解未被光刻膠覆蓋的區域。
- 特點：
  - 各向同性：各方向刻蝕速率相同，易導緻側向鑽蝕（Undercut），難以控制精細結構。
  - 應用場景：早期工藝或對精度要求較低的環節，如矽片清洗、抛光等。
幹法刻蝕（Dry Etching）
- 原理：通過等離子體中的高能離子轟擊或活性氣體化學反應去除材料，結合物理濺射與化學反應的協同作用。
- 特點：
  - 各向異性：垂直方向刻蝕速率遠高于水平方向，適合高深寬比結構的形成。
  - 主流技術：
    - 電容耦合等離子體（CCP）：適用于電介質材料（如二氧化矽）刻蝕。
    - 電感耦合等離子體（ICP）：用于矽、金屬等材料的精細刻蝕。
- 優勢：占先進制程90%以上市場份額，可滿足納米級精度需求。

三、工藝對比與選擇

參數	濕法刻蝕	幹法刻蝕
方向性	各向同性（側向鑽蝕）	各向異性（高精度）
選擇性	高	中等
成本	低（設備簡單）	高（設備複雜）
適用場景	簡單圖形、非關鍵層	複雜圖形、關鍵層

四、關鍵作用與技術挑戰

作用：
- 實現圖形從光刻膠到材料的轉移，形成晶體管、導線等結構。
- 通過多層刻蝕構建三維結構（如FinFET、存儲芯片的垂直堆疊）。
挑戰：
- 均勻性控制：晶圓邊緣與中心的刻蝕速率差異需精确調控。
- 材料兼容性：不同材料（如金屬、介質、矽）需匹配專用刻蝕氣體和設備參數。

五、行業應用現狀

在5nm及以下先進制程中，幹法刻蝕設備（如應用材料、東京電子的ICP/CCP設備）占據主導地位，單台設備價值可達數百萬美元。刻蝕工藝的複雜度隨芯片結構三維化（如GAA晶體管、3D NAND）顯著提升，成為半導體制造的核心競争力之一。