刻蚀法英文解释翻译、刻蚀法的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 etching method

分词翻译：

刻蚀的英语翻译：

【计】 etch

法的英语翻译：

dharma; divisor; follow; law; standard
【医】 method
【经】 law

专业解析

刻蚀法（Etching），在汉英词典中通常对应英文术语"Etching" 或更具体地指"Etching Process/Technique"。它是一种利用物理或化学手段，选择性地去除材料表面特定区域，从而在基底上形成所需图案或结构的精密加工技术。该技术是微电子、微机电系统（MEMS）、光电子器件制造等领域的核心工艺之一。

一、核心含义解析

工艺本质：
- 汉义：指通过特定手段（化学腐蚀、物理轰击或两者结合）有选择性地移除材料表层的过程。
- 英译：A process of selectively removing material from the surface of a substrate by chemical reaction, physical bombardment, or a combination of both.
- 关键：强调“选择性”（Selectivity），即保护不需要刻蚀的区域（通常通过光刻胶掩模实现），只对暴露区域进行刻蚀。
目的与应用：
- 汉义：用于在半导体晶圆、玻璃、金属等材料上制造微细图形、沟槽、通孔或三维结构，是集成电路（IC）、传感器、光学元件等制造的关键步骤。
- 英译：Used to create fine patterns, trenches, vias, or three-dimensional structures on materials such as semiconductor wafers, glass, and metals. It is a critical step in the fabrication of integrated circuits (ICs), sensors, optical components, etc.

二、主要分类（汉英对照）

湿法刻蚀 (Wet Etching)：
- 利用液态化学试剂（酸、碱或特定腐蚀液）与材料发生化学反应来溶解去除材料。选择性高，各向异性差（各方向刻蚀速率相近）。
- 英译：Uses liquid chemical reagents (acids, alkalis, or specific etchants) to dissolve and remove material through chemical reactions. High selectivity, poor anisotropy (etch rate similar in all directions).
干法刻蚀 (Dry Etching)：
- 利用等离子体中的活性粒子（离子、自由基）进行刻蚀。主要包括：
  - 等离子体刻蚀 (Plasma Etching)：主要依赖化学反应。
  - 反应离子刻蚀 (Reactive Ion Etching, RIE)：结合化学反应和物理离子轰击，具有较好的各向异性。
  - 离子束刻蚀 (Ion Beam Etching, IBE) /溅射刻蚀 (Sputter Etching)：主要依赖物理轰击，各向异性好，选择性较低。
- 英译：Uses reactive species (ions, radicals) in a plasma to etch materials. Main types include:
  - Plasma Etching: Primarily relies on chemical reactions.
  - Reactive Ion Etching (RIE): Combines chemical reactions and physical ion bombardment, offering good anisotropy.
  - Ion Beam Etching (IBE) / Sputter Etching: Primarily relies on physical bombardment, excellent anisotropy, lower selectivity.

三、技术关键参数（汉英对照）

刻蚀速率 (Etch Rate)：单位时间内材料被移除的厚度。
选择性 (Selectivity)：刻蚀工艺对目标材料与掩模材料或下层材料刻蚀速率的比值。
各向异性 (Anisotropy)：刻蚀在垂直方向与水平方向速率的差异程度。高各向异性利于形成陡直的侧壁。
均匀性 (Uniformity)：刻蚀速率在整个晶圆表面或不同批次间的一致性。
损伤 (Damage)：刻蚀过程对材料表面或内部结构可能造成的物理或化学损伤。

四、权威定义参考来源

《微电子制造科学原理与工程技术》(Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing) - Peter Van Zant：该书是半导体工艺领域的经典教材，对各类刻蚀技术（湿法、干法、RIE等）的原理、设备、工艺参数和应用有系统阐述。
《半导体器件物理与工艺》(Physics of Semiconductor Devices / Semiconductor Devices: Physics and Technology) - S.M. Sze：Sze的著作是半导体领域的权威参考书，其中对刻蚀工艺在器件制造中的作用和基本类型有清晰定义和讲解。
国际半导体技术发展路线图 (International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS) 及其继任者国际器件与系统路线图 (IRDS)：这些行业路线图文件详细定义了先进集成电路制造中对刻蚀技术（特别是高精度干法刻蚀）的要求和发展方向，是技术定义的行业基准。

网络扩展解释

刻蚀法（Etching）是半导体制造中的核心工艺之一，主要用于将光刻形成的图形精确转移到晶圆表面材料上，通过物理或化学方法选择性去除特定区域的材料，最终形成集成电路所需的微观结构。以下是详细解析：

一、核心定义

刻蚀法是通过物理或化学手段，有选择性地去除晶圆表面未被光刻胶保护的材料的过程。其核心目标是复制光刻掩模图形，并保证图形转移的精确性。在芯片制造流程中，刻蚀位于光刻之后，需与光刻工艺高度协同，直接影响器件的性能和良率。

二、主要分类及原理

刻蚀法主要分为湿法刻蚀和干法刻蚀两类：

湿法刻蚀（Wet Etching）
- 原理：利用化学溶液（如氢氟酸、硝酸等）与材料发生化学反应，溶解未被光刻胶覆盖的区域。
- 特点：
  - 各向同性：各方向刻蚀速率相同，易导致侧向钻蚀（Undercut），难以控制精细结构。
  - 应用场景：早期工艺或对精度要求较低的环节，如硅片清洗、抛光等。
干法刻蚀（Dry Etching）
- 原理：通过等离子体中的高能离子轰击或活性气体化学反应去除材料，结合物理溅射与化学反应的协同作用。
- 特点：
  - 各向异性：垂直方向刻蚀速率远高于水平方向，适合高深宽比结构的形成。
  - 主流技术：
    - 电容耦合等离子体（CCP）：适用于电介质材料（如二氧化硅）刻蚀。
    - 电感耦合等离子体（ICP）：用于硅、金属等材料的精细刻蚀。
- 优势：占先进制程90%以上市场份额，可满足纳米级精度需求。

三、工艺对比与选择

参数	湿法刻蚀	干法刻蚀
方向性	各向同性（侧向钻蚀）	各向异性（高精度）
选择性	高	中等
成本	低（设备简单）	高（设备复杂）
适用场景	简单图形、非关键层	复杂图形、关键层

四、关键作用与技术挑战

作用：
- 实现图形从光刻胶到材料的转移，形成晶体管、导线等结构。
- 通过多层刻蚀构建三维结构（如FinFET、存储芯片的垂直堆叠）。
挑战：
- 均匀性控制：晶圆边缘与中心的刻蚀速率差异需精确调控。
- 材料兼容性：不同材料（如金属、介质、硅）需匹配专用刻蚀气体和设备参数。

五、行业应用现状

在5nm及以下先进制程中，干法刻蚀设备（如应用材料、东京电子的ICP/CCP设备）占据主导地位，单台设备价值可达数百万美元。刻蚀工艺的复杂度随芯片结构三维化（如GAA晶体管、3D NAND）显著提升，成为半导体制造的核心竞争力之一。