矩陣式存儲器英文解釋翻譯、矩陣式存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 matrix memory

matrix
【計】 matrix
【化】 matrix
【經】 matrices; matrix

ceremony; formula; model; pattern; ritual; style; type
【化】 expression
【醫】 F.; feature; formula; Ty.; type

storage; store
【計】 M; memorizer; S

矩陣式存儲器（Matrix Memory）是一種基于二維陣列結構設計的數字存儲裝置，其核心特征是通過行地址和列地址的交叉尋址實現數據存取。該技術廣泛應用于早期計算機内存、現代固态硬盤（SSD）的閃存控制器以及可編程邏輯器件（PLD）中。以下為專業角度的解析：

結構原理
存儲單元按矩陣形式排列，每個單元由唯一的行線（Word Line）和列線（Bit Line）坐标定位。例如，一個8×8矩陣可尋址64個獨立存儲單元。數據讀寫時，行解碼器和列解碼器協同工作，通過激活特定交叉點的晶體管或電容完成操作。這一設計顯著減少了地址線的數量，例如N²存儲單元僅需2N根地址線（N為行或列數）。
技術特性
- 尋址效率：相比線性存儲器，矩陣式結構将尋址複雜度從O(N)降低至O(√N)；
- 密度優勢：英特爾1971年推出的1103 DRAM芯片即采用此結構，實現1Kb存儲密度突破；
- 功耗控制：僅激活目标行列的電路，非選中單元保持靜态，降低動态功耗。
典型應用
- 隻讀存儲器（ROM）：掩模ROM通過矩陣熔絲固化數據；
- 隨機存取存儲器（RAM）：動态RAM（DRAM）利用電容矩陣存儲電荷；
- 閃存芯片：3D NAND采用垂直堆疊矩陣結構提升存儲密度。
學術參考
《計算機組成與設計》（David A. Patterson, John L. Hennessy）第四章詳細論述了矩陣尋址的硬件實現原理。IEEE固态電路期刊（Volume 52, Issue 1）收錄了三星電子關于3D矩陣存儲的最新優化方案。

根據搜索結果顯示，“矩陣式存儲器”對應的英文為matrix memory 或matrix storage，是計算機科學中的一種數據存儲結構。其核心特征是通過二維矩陣（行與列）形式組織存儲單元，主要用于高效處理需要行列定位的數據，例如：

基本定義
矩陣式存儲器将存儲空間抽象為矩陣網格，每個存儲單元通過唯一的行地址和列地址定位。這種結構與傳統的線性存儲（如數組）相比，更適合處理圖論中的鄰接矩陣、圖像像素矩陣等二維數據。
典型應用場景
- 圖的鄰接矩陣存儲：用矩陣表示圖中節點間的連接關系，支持DFS、BFS等遍曆算法。
- 數字圖像處理：存儲圖像的像素矩陣，便于對像素進行坐标操作。
- 稀疏矩陣壓縮：通過特定算法優化存儲空間，減少冗餘。
優缺點
- 優點：支持快速隨機訪問（時間複雜度O(1)），適合需要頻繁查詢或修改行列相關數據的場景。
- 缺點：存儲密度高可能導緻空間浪費（尤其是稀疏數據），動态擴展靈活性較低。

如需更深入的硬件實現原理或具體編程案例，建議參考計算機組成原理或數據結構相關教材。