
【電】 surface-barrier diode
surface; exterior; facade
【化】 surface
【醫】 superficies; surface
【醫】 barrier
diode
【化】 diode
表面障壁二極管(Surface Barrier Diode)是一種基于金屬-半導體接觸原理的半導體器件,其核心特性來源于界面處形成的肖特基勢壘效應。該器件在電子工程領域主要應用于高頻整流和快速開關場景,具有低正向壓降和超快恢複時間的優勢。
從結構上看,該器件由金屬(如鋁或金)與輕摻雜N型半導體(矽或砷化镓)通過真空蒸鍍工藝形成接觸界面。金屬與半導體接觸時,由于兩者的功函數差異,在界面處形成僅0.2-0.3V的正向壓降勢壘,這一特性被記錄于《半導體器件物理》(施敏,第3版)第二章。
區别于傳統PN結二極管的兩大特征包括:
在微波通信領域,該器件因結電容低至0.1pF的特性,被廣泛應用于混頻器和檢波電路設計。國際電氣電子工程師協會(IEEE)在《微波理論與技術彙刊》2022年刊載的研究表明,表面障壁二極管在94GHz毫米波頻段仍保持83%的整流效率。
半導體行業龍頭企業如Infineon和Toshiba,其量産型號SBY系列二極管采用氮化鋁陶瓷封裝技術,實現了熱阻系數低于20℃/W的散熱性能,相關參數可參考廠商發布的《功率半導體器件技術白皮書》。
關于“表面障壁二極管”這一術語,當前搜索結果中未直接提及該名稱的具體定義或技術細節。但結合二極管的基本分類和半導體物理特性,可以嘗試從以下角度進行解釋:
“表面障壁二極管”可能指一種通過表面工藝形成勢壘結構的特殊二極管。其名稱中的“表面障壁”可能描述以下特性:
若用戶實際指的是以下常見二極管類型,可參考以下解釋:
由于該術語未在權威資料中明确出現,可能存在以下情況:
建議核實術語準确性或提供更多上下文,以便進一步分析。如需标準二極管分類及原理,可參考和中的詳細說明。
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