
【電】 absolute minimum resistance
在電子工程領域,“絕對最小電阻”(Absolute Minimum Resistance)指特定條件下電阻器或導體所能達到的理論或實際最小電阻值。該概念涉及材料特性、物理極限及工作環境約束,以下是詳細解釋:
基本含義
“絕對最小電阻”指在理想條件下(如超低溫、零缺陷材料),導體電阻趨近于零的極限值。實際應用中,它表示系統在安全範圍内可達到的最低電阻,通常受材料純度、溫度、幾何結構等因素限制。
來源:IEEE标準術語庫(IEEE Xplore)
中英對照核心概念
中文術語 | 英文術語 | 定義焦點 |
---|---|---|
絕對最小電阻 | Absolute Minimum Resistance | 理論/實際可達到的最小值 |
本征電阻 | Intrinsic Resistance | 材料自身固有屬性 |
量子極限電阻 | Quantum Limit Resistance | 量子效應下的理論最小值 |
材料本征特性
純金屬(如銅、銀)在接近絕對零度時電阻趨近于零,但受晶格缺陷和雜質影響,實際電阻存在下限。例如,銅的電阻率理論最小值為 (1.68 times 10^{-8}Omega cdot m)(20°C)。
來源:《電子材料科學基礎》(清華大學出版社)
溫度依賴性
電阻隨溫度降低而減小,符合公式:
$$ R(T) = R_0 [1 + alpha (T - T_0)] $$
其中 (R_0) 為參考溫度 (T_0) 下的電阻,(alpha) 為溫度系數。超導現象中電阻可突降至零,但需極低溫環境。
來源:美國國家标準與技術研究院(NIST)
設計安全裕度
實際電路設計需預留安全裕度,避免電阻接近理論最小值導緻過熱。例如,保險絲的最小電阻需确保故障電流下及時熔斷。
來源:IEC 60127 微型熔斷器标準
半導體器件的溝道電阻
在MOSFET中,絕對最小電阻由溝道長度和載流子遷移率決定,表達式為:
$$ R{text{min}} = frac{L}{mu C{ox} W (V{GS} - V{th})} $$
其中 (L) 為溝道長度,(mu) 為遷移率,(C_{ox}) 為單位面積栅電容。
來源:IEEE Transactions on Electron Devices
标準與規範
學術資源
“絕對最小電阻”是一個電學領域的術語,其英文對應為“absolute minimum resistance”()。以下從不同角度解釋其含義:
需注意,該術語并非标準電學定義,可能出現在特定文獻或工程場景中。如需更權威解釋,建議結合具體上下文或專業資料進一步确認。
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