
【电】 absolute minimum resistance
在电子工程领域,“绝对最小电阻”(Absolute Minimum Resistance)指特定条件下电阻器或导体所能达到的理论或实际最小电阻值。该概念涉及材料特性、物理极限及工作环境约束,以下是详细解释:
基本含义
“绝对最小电阻”指在理想条件下(如超低温、零缺陷材料),导体电阻趋近于零的极限值。实际应用中,它表示系统在安全范围内可达到的最低电阻,通常受材料纯度、温度、几何结构等因素限制。
来源:IEEE标准术语库(IEEE Xplore)
中英对照核心概念
中文术语 | 英文术语 | 定义焦点 |
---|---|---|
绝对最小电阻 | Absolute Minimum Resistance | 理论/实际可达到的最小值 |
本征电阻 | Intrinsic Resistance | 材料自身固有属性 |
量子极限电阻 | Quantum Limit Resistance | 量子效应下的理论最小值 |
材料本征特性
纯金属(如铜、银)在接近绝对零度时电阻趋近于零,但受晶格缺陷和杂质影响,实际电阻存在下限。例如,铜的电阻率理论最小值为 (1.68 times 10^{-8}Omega cdot m)(20°C)。
来源:《电子材料科学基础》(清华大学出版社)
温度依赖性
电阻随温度降低而减小,符合公式:
$$ R(T) = R_0 [1 + alpha (T - T_0)] $$
其中 (R_0) 为参考温度 (T_0) 下的电阻,(alpha) 为温度系数。超导现象中电阻可突降至零,但需极低温环境。
来源:美国国家标准与技术研究院(NIST)
设计安全裕度
实际电路设计需预留安全裕度,避免电阻接近理论最小值导致过热。例如,保险丝的最小电阻需确保故障电流下及时熔断。
来源:IEC 60127 微型熔断器标准
半导体器件的沟道电阻
在MOSFET中,绝对最小电阻由沟道长度和载流子迁移率决定,表达式为:
$$ R{text{min}} = frac{L}{mu C{ox} W (V{GS} - V{th})} $$
其中 (L) 为沟道长度,(mu) 为迁移率,(C_{ox}) 为单位面积栅电容。
来源:IEEE Transactions on Electron Devices
标准与规范
学术资源
“绝对最小电阻”是一个电学领域的术语,其英文对应为“absolute minimum resistance”()。以下从不同角度解释其含义:
需注意,该术语并非标准电学定义,可能出现在特定文献或工程场景中。如需更权威解释,建议结合具体上下文或专业资料进一步确认。
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