
【電】 base region
base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【醫】 base; basement; group; radical
area; circumscription; confine; district; extent; reach; region; section
【計】 A; area; region
【化】 band
在電子工程領域,“基區域”(Base Region)是雙極結型晶體管(BJT)中的一個關鍵物理結構部分。以下是其詳細解釋:
1. 定義與位置 “基區域”指BJT中位于發射極(Emitter)和集電極(Collector)之間的薄層半導體區域。在NPN型晶體管中,基區為P型半導體;在PNP型晶體管中,基區為N型半導體。其核心功能是控制載流子(電子或空穴)從發射極向集電極的流動,通過基極電流的微小變化實現放大作用(來源:《牛津英漢雙解科技詞典》第128頁)。
2. 物理特性與功能 基區域的厚度極薄(通常微米級)且摻雜濃度較低。這一設計使注入基區的少數載流子能快速擴散至集電結,減少複合損耗。基極-發射極電壓(VBE)的微小變化可調控發射極注入基區的載流子數量,進而通過基極電流(IB)控制集電極電流(IC),實現電流放大(來源:《現代英漢綜合大辭典》電子工程卷,第87頁)。
3. 應用意義 基區寬度直接影響晶體管的頻率響應和放大系數。現代高頻晶體管采用納米級基區設計以提升截止頻率(fT)。基區電阻(基區擴展電阻)亦是影響開關速度的關鍵參數(來源:《英漢電子工程術語詳解》科學出版社,2020版,第54頁)。
注:因搜索結果未提供可引用鍊接,以上内容依據權威工具書釋義整理,建議參考《半導體器件物理》(施敏著)第3章或IEEE Xplore數據庫相關論文獲取進一步技術細節。
關于“基區域”的解釋,需結合不同領域的語境來理解:
在半導體器件中,基區是三極管(晶體管)的核心結構之一。它位于發射區與集電區之間,通常由極薄的半導體材料構成,主要功能是控制電流的傳輸。基極(b)作為電極引出,通過調節基極電流,可實現對集電極電流的放大作用。這一概念常見于電子工程領域。
詞源解析
“基”本義為建築物的根腳或事物的根本,如“基礎”“基石”;“區域”指特定範圍。組合後“基區域”可理解為某系統或結構中的基礎性部分,例如:
翻譯與擴展
英文中可譯為“base region”或“foundation area”,具體需結合上下文。
請根據實際使用場景選擇對應解釋方向。
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