金屬氧化物半導體元件英文解釋翻譯、金屬氧化物半導體元件的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 metal oxide semiconductor device

分詞翻譯：

金屬氧化物的英語翻譯：

【計】 dysphasia

半導體元件的英語翻譯：

【計】 semiconductor component

專業解析

金屬氧化物半導體元件（Metal-Oxide-Semiconductor Device，簡稱MOS元件）是半導體器件中的核心類型，其結構由金屬層、氧化物絕緣層和半導體基底三部分構成。該元件基于電場效應調控半導體表面導電性，主要應用于集成電路、功率轉換和傳感器等領域。以下為詳細解釋：

1. 結構組成

   MOS元件采用分層結構：頂層為金屬或多晶矽制成的栅極（Gate），中間是二氧化矽（SiO₂）或其他高介電材料形成的絕緣層（Oxide），底層為矽基半導體（如P型或N型矽）。這種結構通過栅極電壓控制導電溝道的形成。

2. 工作原理

   當栅極施加電壓時，電場穿透氧化物層，在半導體表面形成反型層（導電溝道），實現源極（Source）與漏極（Drain）間的電流控制。阈值電壓（Threshold Voltage）是觸發導電的關鍵參數，其數值由氧化物厚度和半導體摻雜濃度決定。

3. 技術分類

   • MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）：分增強型與耗盡型，用于數字電路開關和模拟信號放大。
   • CMOS（互補式金屬氧化物半導體）：結合N型與P型MOSFET，以低功耗特性成為現代芯片的基礎架構。

4. 應用領域

   • 集成電路：CPU、存儲器等芯片的晶體管單元。
   • 功率器件：高壓MOSFET用于電源管理。
   • 傳感器：如MEMS氣體傳感器依賴MOS界面電荷變化檢測目标物質。

權威參考資料

• 《半導體器件物理與工藝》（施敏著），ISBN 978-7-121-33456-2
• IEEE Xplore數字圖書館（https://ieeexplore.ieee.org）
• 維基百科"MOSFET"條目（https://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET）

網絡擴展解釋

金屬氧化物半導體元件（Metal-Oxide-Semiconductor，簡稱MOS元件）是一類基于金屬-氧化物-半導體結構的電子器件，其核心是MOS場效應晶體管（MOSFET）。以下是詳細解釋：

一、基本結構

MOS元件由三層構成：

1. 金屬層：通常作為栅極（Gate），用于施加控制電壓；
2. 氧化物層：一般為二氧化矽（SiO₂），作為絕緣層，隔離金屬與半導體；
3. 半導體層：通常是矽襯底，分為源極（Source）和漏極（Drain）。

二、工作原理

通過栅極電壓控制半導體表面的導電狀态：

• 積累層：正電壓吸引多數載流子（如N型半導體的電子），形成導電通道；
• 耗盡層：電壓排斥多數載流子，通道電阻增大；
• 反型層：強電壓使表面形成與襯底相反的導電類型（如P型變為N型），開啟電流通路。

三、主要類型

1. PMOS與NMOS：分别基于P型或N型半導體，通過空穴或電子導電；
2. CMOS：互補型MOS，結合PMOS和NMOS，顯著降低功耗。

四、核心特點

• 高輸入阻抗：氧化物層隔離使栅極幾乎不取電流；
• 低功耗：靜态時電流極小，適合大規模集成；
• 易集成：工藝簡單，適合制造高密度集成電路（如CPU、存儲器）。

五、應用領域

• 數字電路：如邏輯門、微處理器；
• 模拟電路：如放大器、開關；
• 存儲器：DRAM、閃存等。

總結來看，MOS元件通過電場效應控制電流，是現代集成電路的基礎。其結構簡單、功耗低的特性推動了電子設備的微型化和高效化發展。

分類

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

别人正在浏覽...

邊界标志部落法補貼價格車載直線移動式磁頭定位驅動器多孔娥眉肺結核的挂擋關節周的行使債權恒磨牙橫切鑽角變位圓柱齒輪競賽進口拍賣近似固定性極性選擇空洞性脊髓炎孔紋組織盔硫酸鎂泡騰鹽模拟子集能源需求葡糖瓊脂髂後下棘籤署一式兩份實物代金水平推動控制松果隱窩鐵塔