
【化】 tight binding approximation
緊束縛近似(Tight-Binding Approximation)是固體物理學中用于描述晶體中電子運動的一種理論模型。其核心假設是:電子主要被束縛在單個原子附近,相鄰原子間的電子波函數僅存在微弱重疊,因此可用原子軌道的線性組合(LCAO)近似構建晶體的電子能帶結構。
該方法基于局域原子軌道思想,認為電子在晶格中的運動可通過相鄰原子間的躍遷積分描述。其哈密頓量可表示為: $$ hat{H} = sum{i,alpha} epsilon{ialpha} |ialpharangle langle ialpha| + sum{i eq j,alphabeta} t{ij}^{alphabeta} |ialpharangle langle jbeta| $$ 其中$epsilon{ialpha}$為原子軌道能級,$t{ij}^{alphabeta}$表征相鄰原子軌道間的躍遷能量(來源:Ashcroft & Mermin《固體物理學》)。
該模型特别適用于:
緊束縛近似對強關聯電子體系(如高溫超導體)的預測精度有限,且需預先确定原子軌道參數。近年研究者常将其與密度泛函理論結合,提升複雜材料模拟效率(來源:arXiv預印本平台相關研究綜述)。
緊束縛近似(Tight-Binding Approximation)是固體物理學中用于描述晶體中電子能帶結構的一種理論方法,尤其適用于原子間相互作用較弱或電子局域性較強的情況(如内層電子或原子間距較大的晶體)。以下是其核心要點:
緊束縛近似認為,晶體中的電子主要受其母原子勢場的束縛,而其他原子的勢場作用被視為微擾。此時,電子的波函數可近似為孤立原子軌道的線性組合(LCAO,Linear Combination of Atomic Orbitals)。
該方法由布洛赫(F. Bloch)于1928年提出,後發展為能帶計算的重要經驗方法。
如需進一步了解具體數學推導或應用案例(如面心立方晶格能帶計算),可參考高權威性來源如、7中的詳細分析。
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