
【化】 tight binding approximation
紧束缚近似(Tight-Binding Approximation)是固体物理学中用于描述晶体中电子运动的一种理论模型。其核心假设是:电子主要被束缚在单个原子附近,相邻原子间的电子波函数仅存在微弱重叠,因此可用原子轨道的线性组合(LCAO)近似构建晶体的电子能带结构。
该方法基于局域原子轨道思想,认为电子在晶格中的运动可通过相邻原子间的跃迁积分描述。其哈密顿量可表示为: $$ hat{H} = sum{i,alpha} epsilon{ialpha} |ialpharangle langle ialpha| + sum{i eq j,alphabeta} t{ij}^{alphabeta} |ialpharangle langle jbeta| $$ 其中$epsilon{ialpha}$为原子轨道能级,$t{ij}^{alphabeta}$表征相邻原子轨道间的跃迁能量(来源:Ashcroft & Mermin《固体物理学》)。
该模型特别适用于:
紧束缚近似对强关联电子体系(如高温超导体)的预测精度有限,且需预先确定原子轨道参数。近年研究者常将其与密度泛函理论结合,提升复杂材料模拟效率(来源:arXiv预印本平台相关研究综述)。
紧束缚近似(Tight-Binding Approximation)是固体物理学中用于描述晶体中电子能带结构的一种理论方法,尤其适用于原子间相互作用较弱或电子局域性较强的情况(如内层电子或原子间距较大的晶体)。以下是其核心要点:
紧束缚近似认为,晶体中的电子主要受其母原子势场的束缚,而其他原子的势场作用被视为微扰。此时,电子的波函数可近似为孤立原子轨道的线性组合(LCAO,Linear Combination of Atomic Orbitals)。
该方法由布洛赫(F. Bloch)于1928年提出,后发展为能带计算的重要经验方法。
如需进一步了解具体数学推导或应用案例(如面心立方晶格能带计算),可参考高权威性来源如、7中的详细分析。
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