晶體管輸入電阻英文解釋翻譯、晶體管輸入電阻的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 transistor input resistance

分詞翻譯：

晶體管輸入的英語翻譯：

【計】 transistor input

電阻的英語翻譯：

resistance
【計】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【醫】 resistance

專業解析

晶體管輸入電阻（Transistor Input Resistance）是電子工程領域的核心參數，指晶體管在交流小信號工作狀态下，輸入端呈現的等效動态電阻。該參數直接影響信號源與放大電路之間的阻抗匹配，常用符號$r{i}$或$R{in}$表示。

從器件物理角度分析，輸入電阻由晶體管内部PN結特性決定。以雙極型晶體管（BJT）為例，其共射極接法下的輸入電阻可表示為： $$ r{i} = r{pi} = frac{beta V_T}{I_C} $$ 其中$beta$為電流放大系數，$V_T$為熱電壓（約26mV@300K），$I_C$為集電極靜态電流。場效應晶體管（FET）的輸入電阻則高達$10$Ω以上，因其栅極采用絕緣結構。

工程應用中需注意：

測量方法：采用交流微變等效電路法，通過輸入電壓變化量$Delta V{in}$與輸入電流變化量$Delta I{in}$的比值測定
電路影響：輸入電阻過低會加重前級電路負載，導緻信號衰減（如BJT共射放大器需通過射極電阻提升輸入阻抗）
頻率響應：隨着頻率升高，結電容效應導緻輸入阻抗下降，該現象在射頻電路設計中尤為顯著

權威文獻《半導體器件物理》（施敏著）指出，輸入電阻的溫度敏感性主要源于載流子遷移率變化，典型溫度系數為$-0.3%/℃$。國際電氣電子工程師協會（IEEE）标準118-1978特别規定了晶體管輸入參數的測試條件，要求測試環境溫度控制在25±1℃。

網絡擴展解釋

晶體管輸入電阻是描述晶體管輸入端對交流信號阻礙特性的重要參數，具體解釋如下：

基本定義晶體管輸入電阻指基極與發射極之間的交流等效電阻，計算公式為輸入交流電壓與交流電流的比值。對于雙極型晶體管(BJT)，該參數反映輸入端對信號源的負載效應。
影響因素

晶體管類型：雙極型晶體管輸入電阻較小(幾十歐至幾千歐)，場效應管(FET)輸入電阻可達兆歐級
工作狀态：偏置電流增大時輸入電阻減小，耗散功率大的管子輸入電阻也較小
信號頻率：低頻時主要表現為純電阻特性，高頻時需考慮輸入電容的影響

工程意義輸入電阻越大，從信號源獲取的電流越小，能更完整地傳遞信號電壓。例如示波器前級電路需要高輸入電阻(>1MΩ)來減少對被測電路的影響，而功率放大電路可能設計較低輸入電阻以獲取更大電流。
典型數值範圍

低頻雙極型晶體管：幾十歐至幾千歐
場效應晶體管：通常超過10⁹歐
集成運放輸入級：雙極型約10MΩ，場效應型可達GΩ級

注：實際應用中需根據信號源特性和電路需求選擇合適輸入電阻的晶體管，通過偏置電路調節工作點可改變輸入電阻值。