晶体管输入电阻英文解释翻译、晶体管输入电阻的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 transistor input resistance

分词翻译：

晶体管输入的英语翻译：

【计】 transistor input

电阻的英语翻译：

resistance
【计】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【医】 resistance

专业解析

晶体管输入电阻（Transistor Input Resistance）是电子工程领域的核心参数，指晶体管在交流小信号工作状态下，输入端呈现的等效动态电阻。该参数直接影响信号源与放大电路之间的阻抗匹配，常用符号$r{i}$或$R{in}$表示。

从器件物理角度分析，输入电阻由晶体管内部PN结特性决定。以双极型晶体管（BJT）为例，其共射极接法下的输入电阻可表示为： $$ r{i} = r{pi} = frac{beta V_T}{I_C} $$ 其中$beta$为电流放大系数，$V_T$为热电压（约26mV@300K），$I_C$为集电极静态电流。场效应晶体管（FET）的输入电阻则高达$10$Ω以上，因其栅极采用绝缘结构。

工程应用中需注意：

测量方法：采用交流微变等效电路法，通过输入电压变化量$Delta V{in}$与输入电流变化量$Delta I{in}$的比值测定
电路影响：输入电阻过低会加重前级电路负载，导致信号衰减（如BJT共射放大器需通过射极电阻提升输入阻抗）
频率响应：随着频率升高，结电容效应导致输入阻抗下降，该现象在射频电路设计中尤为显著

权威文献《半导体器件物理》（施敏著）指出，输入电阻的温度敏感性主要源于载流子迁移率变化，典型温度系数为$-0.3%/℃$。国际电气电子工程师协会（IEEE）标准118-1978特别规定了晶体管输入参数的测试条件，要求测试环境温度控制在25±1℃。

网络扩展解释

晶体管输入电阻是描述晶体管输入端对交流信号阻碍特性的重要参数，具体解释如下：

基本定义晶体管输入电阻指基极与发射极之间的交流等效电阻，计算公式为输入交流电压与交流电流的比值。对于双极型晶体管(BJT)，该参数反映输入端对信号源的负载效应。
影响因素

晶体管类型：双极型晶体管输入电阻较小(几十欧至几千欧)，场效应管(FET)输入电阻可达兆欧级
工作状态：偏置电流增大时输入电阻减小，耗散功率大的管子输入电阻也较小
信号频率：低频时主要表现为纯电阻特性，高频时需考虑输入电容的影响

工程意义输入电阻越大，从信号源获取的电流越小，能更完整地传递信号电压。例如示波器前级电路需要高输入电阻(>1MΩ)来减少对被测电路的影响，而功率放大电路可能设计较低输入电阻以获取更大电流。
典型数值范围

低频双极型晶体管：几十欧至几千欧
场效应晶体管：通常超过10⁹欧
集成运放输入级：双极型约10MΩ，场效应型可达GΩ级

注：实际应用中需根据信号源特性和电路需求选择合适输入电阻的晶体管，通过偏置电路调节工作点可改变输入电阻值。