晶體管壽命英文解釋翻譯、晶體管壽命的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transistor life

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

life; life-span; longevity
【計】 live time
【醫】 duration of life; life; span life; tau.

晶體管壽命（Transistor Lifetime）在電子工程領域指半導體器件在額定工作條件下保持電氣性能穩定的持續時間。該參數是評估電子元件可靠性的核心指标，其定義包含三個維度：

電應力失效阈值
器件在持續電壓/電流負載下出現參數漂移的臨界時間點，通常通過加速壽命試驗（Accelerated Life Testing）測定。IEEE标準文件指出，栅氧層擊穿和熱載流子注入是主要失效機制（IEEE Xplore, 2023）。
材料老化周期
半導體材料在溫度循環（-55°C至150°C）下的結構穩定性，主要受焊點金屬間化合物生長速率影響。美國國防部MIL-STD-883标準規定，軍用級晶體管需通過1000次溫度循環測試（Defense Technical Information Center）。
功能保持期限
從首次通電至關鍵參數（如電流放大系數β值）衰減至初始值80%的時間跨度。實驗數據顯示，矽基MOSFET在85°C工作環境下典型壽命為1.5萬至10萬小時（ScienceDirect, 2022）。

行業研究證實，第三代半導體材料（如氮化镓）通過能帶工程可将壽命延長3-5倍，這推動着5G基站和電動汽車電源模塊的技術革新（Compound Semiconductor Journal白皮書）。

晶體管壽命是指晶體管在正常工作或貯存條件下保持其設計性能的持續時間。這一指标對電子設備的可靠性和穩定性至關重要。以下是詳細解析：

晶體管壽命包含兩方面：

工作條件
- 溫度：每升高10°C，失效風險增加約50%（Arrhenius方程適用）
- 電壓：超出額定電壓會加速電遷移效應
- 電流密度：高電流導緻金屬互連結構損傷
環境因素
- 濕度＞60%時，金屬觸點氧化速率顯著提升（）
- 溫度波動引發材料膨脹系數差異，導緻結構形變（）
材料老化
- 矽晶體缺陷隨時間擴展
- 封裝材料氣密性下降（年均0.01%漏氣率）

相比早期電子管，晶體管壽命提升顯著：

通過加速老化試驗評估壽命，常用：

管理建議：電子設備設計時需預留20%以上的參數冗餘量，并控制工作溫度在70°C以下（）。