晶体管寿命英文解释翻译、晶体管寿命的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 transistor life

分词翻译：

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

寿命的英语翻译：

life; life-span; longevity
【计】 live time
【医】 duration of life; life; span life; tau.

专业解析

晶体管寿命（Transistor Lifetime）在电子工程领域指半导体器件在额定工作条件下保持电气性能稳定的持续时间。该参数是评估电子元件可靠性的核心指标，其定义包含三个维度：

1. 电应力失效阈值

   器件在持续电压/电流负载下出现参数漂移的临界时间点，通常通过加速寿命试验（Accelerated Life Testing）测定。IEEE标准文件指出，栅氧层击穿和热载流子注入是主要失效机制（IEEE Xplore, 2023）。

2. 材料老化周期

   半导体材料在温度循环（-55°C至150°C）下的结构稳定性，主要受焊点金属间化合物生长速率影响。美国国防部MIL-STD-883标准规定，军用级晶体管需通过1000次温度循环测试（Defense Technical Information Center）。

3. 功能保持期限

   从首次通电至关键参数（如电流放大系数β值）衰减至初始值80%的时间跨度。实验数据显示，硅基MOSFET在85°C工作环境下典型寿命为1.5万至10万小时（ScienceDirect, 2022）。

行业研究证实，第三代半导体材料（如氮化镓）通过能带工程可将寿命延长3-5倍，这推动着5G基站和电动汽车电源模块的技术革新（Compound Semiconductor Journal白皮书）。

网络扩展解释

晶体管寿命是指晶体管在正常工作或贮存条件下保持其设计性能的持续时间。这一指标对电子设备的可靠性和稳定性至关重要。以下是详细解析：

一、核心定义

晶体管寿命包含两方面：

1. 工作寿命：在通电状态下，晶体管维持正常电学特性的时间（）。
2. 贮存寿命：未通电时，晶体管在特定环境条件下保持可用性的时间（）。

二、主要影响因素

1. 工作条件

   • 温度：每升高10°C，失效风险增加约50%（Arrhenius方程适用）
   • 电压：超出额定电压会加速电迁移效应
   • 电流密度：高电流导致金属互连结构损伤

2. 环境因素

   • 湿度＞60%时，金属触点氧化速率显著提升（）
   • 温度波动引发材料膨胀系数差异，导致结构形变（）

3. 材料老化

   • 硅晶体缺陷随时间扩展
   • 封装材料气密性下降（年均0.01%漏气率）

三、特殊优势

相比早期电子管，晶体管寿命提升显著：

• 典型寿命可达10~10小时（约11~114年）
• 无需预热启动，降低瞬时损耗（）

四、测试方法

通过加速老化试验评估寿命，常用：

1. 高温高湿试验（85°C/85%RH）
2. 温度循环试验（-55°C↔125°C）

管理建议：电子设备设计时需预留20%以上的参数冗余量，并控制工作温度在70°C以下（）。

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