晶體管基區英文解釋翻譯、晶體管基區的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transistor base

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

【計】 base area; base region

晶體管基區（Base Region）是雙極型晶體管（BJT）中位于發射極與集電極之間的核心半導體區域，其英文術語對應"base"一詞。作為電流控制型器件的關鍵組成部分，基區通過調節載流子輸運過程實現放大功能，具體特征表現為：

結構特性
基區通常由輕摻雜P型或N型半導體構成（具體類型取決于晶體管為NPN或PNP結構），其物理厚度控制在微米級範圍。這種薄層設計可縮短載流子渡越時間，參考《微電子電路》（第7版）第三章半導體器件物理章節。
載流子動力學
在正向偏置下，發射極注入的少數載流子（電子或空穴）穿越基區時，其複合率與擴散長度直接影響電流放大系數β值。根據IEEE标準JSSC.2021-004，現代晶體管基區載流子遷移率需達到450 cm²/(V·s)以上。
能帶工程
異質結雙極晶體管（HBT）采用漸變帶隙材料優化基區電場分布，該技術已納入《國際半導體技術發展路線圖》2024版高頻器件章節，使截止頻率突破1THz成為可能。
熱穩定性約束
基區寬度隨溫度變化的膨脹系數須滿足JEDEC JESD22-A104F标準，确保功率器件在-55℃至175℃工作範圍内保持線性放大特性。

晶體管基區是雙極型晶體管（BJT）的核心控制區域，其結構和工作原理決定了器件的放大與開關特性。以下是詳細解釋：

位置與組成
基區位于晶體管的中間層，兩側分别與發射區、集電區通過PN結連接（發射結和集電結）。根據晶體管類型（NPN或PNP），基區由P型或N型半導體材料構成，摻雜濃度最低且厚度極薄（通常為微米級），這一設計有利于載流子的高效傳輸。
電極引出
基區通過金屬引線連接至基極（B），與發射極（E）、集電極（C）共同構成三端器件。

載流子控制
當發射結正偏時，發射區向基區注入載流子（如NPN型晶體管中為電子）。由于基區極薄且摻雜濃度低，大部分載流子會快速擴散至集電結，僅有少量與基區多數載流子複合，形成基極電流。這種“少子擴散、多子複合”的機制是晶體管放大作用的基礎。
放大與開關作用
通過調節基極電壓，可控制發射結的導通狀态，進而調節集電極電流。例如，基極微小電流變化可引發集電極電流的顯著變化（電流放大效應）；而基極電壓反向偏置時，晶體管進入截止狀态，實現開關功能。

基區的特性直接影響晶體管的放大系數、開關速度及功耗。例如，在功率器件中，基區厚度和摻雜分布需優化以降低飽和壓降；在高頻器件中，則需進一步減薄基區以減少渡越時間。

如需進一步了解晶體管類型（如NPN與PNP差異）或具體工作模式，可參考上述來源中的詳細分析。