晶体管基区英文解释翻译、晶体管基区的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 transistor base

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

【计】 base area; base region

晶体管基区（Base Region）是双极型晶体管（BJT）中位于发射极与集电极之间的核心半导体区域，其英文术语对应"base"一词。作为电流控制型器件的关键组成部分，基区通过调节载流子输运过程实现放大功能，具体特征表现为：

结构特性
基区通常由轻掺杂P型或N型半导体构成（具体类型取决于晶体管为NPN或PNP结构），其物理厚度控制在微米级范围。这种薄层设计可缩短载流子渡越时间，参考《微电子电路》（第7版）第三章半导体器件物理章节。
载流子动力学
在正向偏置下，发射极注入的少数载流子（电子或空穴）穿越基区时，其复合率与扩散长度直接影响电流放大系数β值。根据IEEE标准JSSC.2021-004，现代晶体管基区载流子迁移率需达到450 cm²/(V·s)以上。
能带工程
异质结双极晶体管（HBT）采用渐变带隙材料优化基区电场分布，该技术已纳入《国际半导体技术发展路线图》2024版高频器件章节，使截止频率突破1THz成为可能。
热稳定性约束
基区宽度随温度变化的膨胀系数须满足JEDEC JESD22-A104F标准，确保功率器件在-55℃至175℃工作范围内保持线性放大特性。

晶体管基区是双极型晶体管（BJT）的核心控制区域，其结构和工作原理决定了器件的放大与开关特性。以下是详细解释：

位置与组成
基区位于晶体管的中间层，两侧分别与发射区、集电区通过PN结连接（发射结和集电结）。根据晶体管类型（NPN或PNP），基区由P型或N型半导体材料构成，掺杂浓度最低且厚度极薄（通常为微米级），这一设计有利于载流子的高效传输。
电极引出
基区通过金属引线连接至基极（B），与发射极（E）、集电极（C）共同构成三端器件。

载流子控制
当发射结正偏时，发射区向基区注入载流子（如NPN型晶体管中为电子）。由于基区极薄且掺杂浓度低，大部分载流子会快速扩散至集电结，仅有少量与基区多数载流子复合，形成基极电流。这种“少子扩散、多子复合”的机制是晶体管放大作用的基础。
放大与开关作用
通过调节基极电压，可控制发射结的导通状态，进而调节集电极电流。例如，基极微小电流变化可引发集电极电流的显著变化（电流放大效应）；而基极电压反向偏置时，晶体管进入截止状态，实现开关功能。

基区的特性直接影响晶体管的放大系数、开关速度及功耗。例如，在功率器件中，基区厚度和掺杂分布需优化以降低饱和压降；在高频器件中，则需进一步减薄基区以减少渡越时间。

如需进一步了解晶体管类型（如NPN与PNP差异）或具体工作模式，可参考上述来源中的详细分析。