
【電】 crystal imperfection
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal
【電】 imperfection
在材料科學領域中,“晶體不完善”(英語:Crystal Imperfection)指晶體結構中存在的偏離理想周期性排列的缺陷,這類缺陷對材料的物理、化學及機械性能具有顯著影響。《材料科學術語詞典》将其定義為“晶格中原子或離子排列的局部不規則性,包括點缺陷、線缺陷和面缺陷三種主要類型”。
從漢英對照角度分析,該術語包含以下核心特征:
實驗研究表明,晶體不完善的密度與材料性能呈非線性關系。例如,少量位錯可提升金屬延展性,但過量缺陷會導緻脆性斷裂。該現象在《晶體缺陷工程》領域已被廣泛應用于半導體器件制造與合金開發。
"晶體不完善"指實際晶體中原子的周期性排列存在局部偏離理想結構的狀态。這是材料科學中的重要概念,主要包含以下核心内容:
晶體不完善(又稱晶體缺陷)指晶體内部原子、離子或分子排列偏離理想周期性結構的區域。這種缺陷可存在于所有實際晶體中,如金屬、陶瓷等材料的多晶體結構中常見晶界缺陷。
點缺陷(零維缺陷)
線缺陷(一維缺陷)
面缺陷(二維缺陷)
缺陷類型 | 影響示例 |
---|---|
點缺陷 | 改變半導體導電性 |
位錯 | 增加金屬延展性 |
晶界 | 提高材料強度但降低塑性 |
這些"不完善"并非負面特性,反而是調控材料性能的關鍵。例如:通過控制位錯密度可增強金屬強度,摻雜特定點缺陷能改變半導體電學特性。
該概念英文對應"crystal imperfection"或"crystal defect",在材料表征中常通過X射線衍射、電子顯微鏡等技術觀測。
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