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晶體不完善英文解釋翻譯、晶體不完善的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【電】 crystal imperfection

分詞翻譯:

晶體的英語翻譯:

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

不完善的英語翻譯:

【電】 imperfection

專業解析

在材料科學領域中,“晶體不完善”(英語:Crystal Imperfection)指晶體結構中存在的偏離理想周期性排列的缺陷,這類缺陷對材料的物理、化學及機械性能具有顯著影響。《材料科學術語詞典》将其定義為“晶格中原子或離子排列的局部不規則性,包括點缺陷、線缺陷和面缺陷三種主要類型”。

從漢英對照角度分析,該術語包含以下核心特征:

  1. 點缺陷(Point Defects):如空位、間隙原子或雜質原子,常見于半導體材料中,影響電導率與光學性質;
  2. 線缺陷(線位錯,Dislocations)**:表現為晶格滑移面的錯位,直接決定金屬的塑性與強度;
  3. 面缺陷(Planar Defects):例如晶界與堆垛層錯,多晶材料中此類缺陷會降低熱穩定性。

實驗研究表明,晶體不完善的密度與材料性能呈非線性關系。例如,少量位錯可提升金屬延展性,但過量缺陷會導緻脆性斷裂。該現象在《晶體缺陷工程》領域已被廣泛應用于半導體器件制造與合金開發。

網絡擴展解釋

"晶體不完善"指實際晶體中原子的周期性排列存在局部偏離理想結構的狀态。這是材料科學中的重要概念,主要包含以下核心内容:

一、基本定義

晶體不完善(又稱晶體缺陷)指晶體内部原子、離子或分子排列偏離理想周期性結構的區域。這種缺陷可存在于所有實際晶體中,如金屬、陶瓷等材料的多晶體結構中常見晶界缺陷。

二、主要類型

  1. 點缺陷(零維缺陷)

    • 空位:晶格結點缺失原子
    • 間隙原子:原子擠入晶格間隙
    • 雜質原子:外來原子取代晶格原子 (尺寸約1-2個原子尺度,與溫度密切相關)
  2. 線缺陷(一維缺陷)

    • 位錯:滑移區與未滑移區的交界線,如刃位錯、螺位錯
  3. 面缺陷(二維缺陷)

    • 晶界:多晶體中不同取向晶粒的交界
    • 堆垛層錯:原子面堆垛順序錯亂

三、形成原因

四、對性能的影響

缺陷類型 影響示例
點缺陷 改變半導體導電性
位錯 增加金屬延展性
晶界 提高材料強度但降低塑性

五、研究意義

這些"不完善"并非負面特性,反而是調控材料性能的關鍵。例如:通過控制位錯密度可增強金屬強度,摻雜特定點缺陷能改變半導體電學特性。

該概念英文對應"crystal imperfection"或"crystal defect",在材料表征中常通過X射線衍射、電子顯微鏡等技術觀測。

分類

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