晶体不完善英文解释翻译、晶体不完善的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 crystal imperfection

分词翻译：

晶体的英语翻译：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

不完善的英语翻译：

【电】 imperfection

专业解析

在材料科学领域中，“晶体不完善”（英语：Crystal Imperfection）指晶体结构中存在的偏离理想周期性排列的缺陷，这类缺陷对材料的物理、化学及机械性能具有显著影响。《材料科学术语词典》将其定义为“晶格中原子或离子排列的局部不规则性，包括点缺陷、线缺陷和面缺陷三种主要类型”。

从汉英对照角度分析，该术语包含以下核心特征：

1. 点缺陷（Point Defects）：如空位、间隙原子或杂质原子，常见于半导体材料中，影响电导率与光学性质；
2. 线缺陷（线位错，Dislocations）**：表现为晶格滑移面的错位，直接决定金属的塑性与强度；
3. 面缺陷（Planar Defects）：例如晶界与堆垛层错，多晶材料中此类缺陷会降低热稳定性。

实验研究表明，晶体不完善的密度与材料性能呈非线性关系。例如，少量位错可提升金属延展性，但过量缺陷会导致脆性断裂。该现象在《晶体缺陷工程》领域已被广泛应用于半导体器件制造与合金开发。

网络扩展解释

"晶体不完善"指实际晶体中原子的周期性排列存在局部偏离理想结构的状态。这是材料科学中的重要概念，主要包含以下核心内容：

一、基本定义

晶体不完善（又称晶体缺陷）指晶体内部原子、离子或分子排列偏离理想周期性结构的区域。这种缺陷可存在于所有实际晶体中，如金属、陶瓷等材料的多晶体结构中常见晶界缺陷。

二、主要类型

1. 点缺陷（零维缺陷）

   • 空位：晶格结点缺失原子
   • 间隙原子：原子挤入晶格间隙
   • 杂质原子：外来原子取代晶格原子 （尺寸约1-2个原子尺度，与温度密切相关）

2. 线缺陷（一维缺陷）

   • 位错：滑移区与未滑移区的交界线，如刃位错、螺位错

3. 面缺陷（二维缺陷）

   • 晶界：多晶体中不同取向晶粒的交界
   • 堆垛层错：原子面堆垛顺序错乱

三、形成原因

• 晶体生长过程中温度/压力变化
• 质点热运动导致原子脱离晶格
• 外力作用引发位错运动
• 材料纯度不足引入杂质

四、对性能的影响

五、研究意义

这些"不完善"并非负面特性，反而是调控材料性能的关键。例如：通过控制位错密度可增强金属强度，掺杂特定点缺陷能改变半导体电学特性。

该概念英文对应"crystal imperfection"或"crystal defect"，在材料表征中常通过X射线衍射、电子显微镜等技术观测。

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