晶格配位數英文解釋翻譯、晶格配位數的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【機】 lattice coordination number

crystal lattice
【計】 crystal lattice
【化】 crystal lattice; lattice

【計】 coordination number
【化】 coordination number; ligancy; ligand number

晶格配位數（Coordination Number）是晶體學中描述原子或離子在晶格結構内空間排列方式的核心參數，指一個中心原子周圍與其直接接觸的最近鄰原子或離子的數量。例如在面心立方（FCC）結構中，每個原子的配位數為12，而體心立方（BCC）結構的配位數為8。

這一概念與晶體對稱性和堆積密度密切相關。配位數越高，原子堆積越緊密，材料的機械強度可能更高（如銅的FCC結構）。在離子晶體中，配位數還影響靜電力平衡，如NaCl中Na⁺和Cl⁻的配位數均為6，對應穩定的八面體配位構型。

實際應用中，配位數可作為預測材料導電性、催化活性等功能特性的指标。例如石墨烯中碳原子的三配位結構賦予其獨特的電子遷移率。國際純粹與應用化學聯合會（IUPAC）将配位數列為材料表征的基礎參數之一（來源：IUPAC術語數據庫）。

晶格配位數是晶體學中的核心概念，指某一原子（或離子）在晶格中最鄰近且等距的原子（或異號離子）的數量。以下是詳細解釋：

基本定義
晶格配位數描述了一個原子周圍直接相鄰的原子數目，且這些原子與該中心原子的距離相等。例如，在體心立方結構中，每個原子周圍有8個最近鄰原子，因此配位數為8；而在面心立方或六方緊密堆積結構中，配位數可達12。
與化學配位數的區别
化學中的配位數通常指配位化合物中中心原子結合的配位原子數（如[Cu(NH₃)₄]²⁺中Cu²⁺的配位數為4），而晶格配位數更強調晶體結構中的空間排列規律。

晶體結構類型
不同晶胞類型（如體心、面心）直接影響原子的堆積方式和配位數。
原子/離子半徑比
在離子晶體中，陽離子與陰離子的半徑比（r⁺/r⁻）決定配位數。例如：
- 半徑比<0.414時，配位數為4（如ZnS）；
- 半徑比0.414~0.732時，配位數為6（如NaCl）。

晶格配位數反映了原子堆積的緊密程度，直接影響材料的物理性質（如密度、硬度）。例如，面心立方和六方緊密堆積因配位數高（12），通常具有更高的緻密性和強度。

晶格配位數是理解晶體結構的關鍵參數，需結合具體晶胞類型和原子間作用分析。如需進一步了解某類晶體的詳細配位規律，可參考晶體學教材或權威數據庫。