擴散射極和基極晶體管英文解釋翻譯、擴散射極和基極晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 diffused-emitter-and-base transi-stor

分詞翻譯：

擴散的英語翻譯：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【計】 scattering
【化】 scatter
【醫】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

射極的英語翻譯：

【電】 emitter

和的英語翻譯：

and; draw; gentle; kind; mild; harmonious; mix with; sum; summation
together with
【計】 ampersand
【醫】 c.; cum

基的英語翻譯：

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【醫】 base; basement; group; radical

極晶體的英語翻譯：

【電】 polar crystal

管的英語翻譯：

canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【醫】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel

專業解析

擴散射極（Diffused Emitter）和基極（Base）是雙極結型晶體管（BJT）的核心結構單元，其定義與功能可從半導體物理學角度闡述如下：

1. 擴散射極擴散射極指通過熱擴散工藝在半導體基片表面形成的重摻雜區域，其英文術語為"diffused emitter"。該區域通過注入高濃度施主或受主雜質（如磷或硼），形成載流子濃度梯度，在正向偏置下向基區注入少數載流子。根據美國電氣電子工程師協會（IEEE）标準術語庫，該工藝需精确控制溫度曲線與摻雜濃度，以實現0.5-2μm的結深。

2. 基極基極是夾在發射極與集電極之間的輕摻雜區域，英文對應"base"。其典型厚度為0.1-1μm，載流子遷移率直接影響電流放大系數β值。根據《半導體器件物理》（施敏著）第3章論述，基極輸運效率受基區渡越時間與複合率雙重制約，摻雜濃度通常控制在$N_A ≈ 10^{17}cm^{-3}$量級。

國際半導體技術路線圖（ITRS）指出，現代晶體管采用多晶矽發射極與異質結基極結構，使截止頻率突破300GHz。美國國家标準技術研究院（NIST）的測試數據顯示，優化後的基極電阻可降低至200Ω·μm。

網絡擴展解釋

“擴散射極和基極晶體管”是電子學中與半導體器件相關的術語，其含義和背景可結合搜索結果解釋如下：

1.基本定義

該術語指一種通過擴散工藝制造的晶體管，其核心結構包含擴散形成的發射極和基極區域。這種工藝通過高溫摻雜技術在半導體材料（如矽）中精确控制雜質分布，形成所需的電學特性。

2.晶體管結構解析

基極：位于發射極與集電極之間，通過輸入微小電流控制集電極-發射極間的大電流（放大作用）。
擴散工藝：在制造過程中，通過高溫擴散将雜質原子引入半導體基片，形成發射極和基極的PN結。這種工藝能精确控制摻雜濃度和結深，提升器件性能。

3.工作原理

晶體管通過基極電流調控集電極-發射極電流：

當基極-發射極間施加正向電壓時，載流子（如電子）從發射極注入基極。
基極的薄層設計使多數載流子擴散至集電極，形成放大的輸出電流（放大倍數通常為數十至數百倍）。

4.應用與特點

特點：擴散工藝使器件具有高頻率響應、低噪聲和穩定性，適用于高頻放大電路。
應用：廣泛用于放大器、開關電路、數字邏輯門等電子設備。

“擴散射極和基極晶體管”強調制造工藝與結構特性，其核心是通過擴散技術形成關鍵電極，實現電流控制功能。如需進一步了解晶體管分類或具體電路設計，可參考相關電子工程資料。