扩散射极和基极晶体管英文解释翻译、扩散射极和基极晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 diffused-emitter-and-base transi-stor

分词翻译：

扩散的英语翻译：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【计】 scattering
【化】 scatter
【医】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

射极的英语翻译：

【电】 emitter

和的英语翻译：

and; draw; gentle; kind; mild; harmonious; mix with; sum; summation
together with
【计】 ampersand
【医】 c.; cum

基的英语翻译：

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【医】 base; basement; group; radical

极晶体的英语翻译：

【电】 polar crystal

管的英语翻译：

canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【医】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel

专业解析

扩散射极（Diffused Emitter）和基极（Base）是双极结型晶体管（BJT）的核心结构单元，其定义与功能可从半导体物理学角度阐述如下：

1. 扩散射极扩散射极指通过热扩散工艺在半导体基片表面形成的重掺杂区域，其英文术语为"diffused emitter"。该区域通过注入高浓度施主或受主杂质（如磷或硼），形成载流子浓度梯度，在正向偏置下向基区注入少数载流子。根据美国电气电子工程师协会（IEEE）标准术语库，该工艺需精确控制温度曲线与掺杂浓度，以实现0.5-2μm的结深。

2. 基极基极是夹在发射极与集电极之间的轻掺杂区域，英文对应"base"。其典型厚度为0.1-1μm，载流子迁移率直接影响电流放大系数β值。根据《半导体器件物理》（施敏著）第3章论述，基极输运效率受基区渡越时间与复合率双重制约，掺杂浓度通常控制在$N_A ≈ 10^{17}cm^{-3}$量级。

国际半导体技术路线图（ITRS）指出，现代晶体管采用多晶硅发射极与异质结基极结构，使截止频率突破300GHz。美国国家标准技术研究院（NIST）的测试数据显示，优化后的基极电阻可降低至200Ω·μm。

网络扩展解释

“扩散射极和基极晶体管”是电子学中与半导体器件相关的术语，其含义和背景可结合搜索结果解释如下：

1.基本定义

该术语指一种通过扩散工艺制造的晶体管，其核心结构包含扩散形成的发射极和基极区域。这种工艺通过高温掺杂技术在半导体材料（如硅）中精确控制杂质分布，形成所需的电学特性。

2.晶体管结构解析

基极：位于发射极与集电极之间，通过输入微小电流控制集电极-发射极间的大电流（放大作用）。
扩散工艺：在制造过程中，通过高温扩散将杂质原子引入半导体基片，形成发射极和基极的PN结。这种工艺能精确控制掺杂浓度和结深，提升器件性能。

3.工作原理

晶体管通过基极电流调控集电极-发射极电流：

当基极-发射极间施加正向电压时，载流子（如电子）从发射极注入基极。
基极的薄层设计使多数载流子扩散至集电极，形成放大的输出电流（放大倍数通常为数十至数百倍）。

4.应用与特点

特点：扩散工艺使器件具有高频率响应、低噪声和稳定性，适用于高频放大电路。
应用：广泛用于放大器、开关电路、数字逻辑门等电子设备。

“扩散射极和基极晶体管”强调制造工艺与结构特性，其核心是通过扩散技术形成关键电极，实现电流控制功能。如需进一步了解晶体管分类或具体电路设计，可参考相关电子工程资料。