擴散電阻英文解釋翻譯、擴散電阻的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 diffused resistor

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【計】 scattering
【化】 scatter
【醫】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

resistance
【計】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【醫】 resistance

擴散電阻（Diffusion Resistance）是半導體器件物理中的重要概念，指載流子在半導體材料中因濃度梯度驅動擴散運動時表現出的等效電阻。該參數主要出現在PN結、雙極晶體管基區等載流子輸運主導的區域，其物理意義可分解為以下三方面：

微觀機制
擴散電阻源于載流子濃度梯度引起的擴散電流，遵循菲克定律。在N型半導體中，電子擴散電流密度為： $$ J_n = qD_n frac{dn}{dx} $$ 其中$D_n$為電子擴散系數，$dn/dx$為電子濃度梯度，$q$為電荷量。
器件應用特征
在雙極晶體管中，基區擴散電阻直接影響電流增益和頻率響應。根據《半導體器件物理》（施敏，第3版），基區擴散電阻計算公式為： $$ R_{diff} = frac{W_B}{2D_n tau_n} $$ $W_B$為基區寬度，$tau_n$為電子壽命。
工藝相關性
擴散電阻值與摻雜濃度分布密切相關。國際半導體技術路線圖（ITRS）指出，先進制程中通過超陡倒摻雜分布可降低基區擴散電阻達30%，從而提升器件速度。

該參數在光電器件、功率器件建模中具有關鍵作用，美國電氣電子工程師協會（IEEE）在标準JESD77中明确将其列為器件特性表征的必測參數。

擴散電阻是半導體器件中因材料間擴散效應産生的電阻，其核心特征與形成機制如下：

擴散電阻源于半導體材料中原子或載流子（如電子、空穴）的濃度梯度引發的擴散運動。當電流通過時，載流子從高濃度區域向低濃度區域擴散，這一過程會阻礙電流流動，形成電阻效應。例如，在摻雜工藝中，P型材料擴散到N型襯底時，界面處的濃度差異會顯著影響電阻值。

擴展電阻（Spreading Resistance）：指探針接觸半導體時因電流分布不均産生的電阻，需通過公式 $R = frac{V}{I} = frac{rho}{4a}$ 計算（$rho$為電阻率，$a$為接觸半徑），常用于材料微觀電學特性分析。
壓敏電阻：雖同為半導體電阻，但其功能是過壓保護，依賴非線性伏安特性，與擴散電阻的物理機制不同。

擴散電阻是半導體器件的關鍵參數，其形成與載流子擴散直接相關，在器件設計和材料分析中具有重要應用。需注意與擴展電阻、壓敏電阻等功能性電阻的區别。