超大規模集成英文解釋翻譯、超大規模集成的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 very-large-scale integration

exceed; go beyond; overtake
【計】 hyperactive
【醫】 per-; ultra-

【計】 large-scale integration; LSI

超大規模集成（Very Large Scale Integration，VLSI）是微電子技術領域的核心術語，指在單一芯片上集成超過10萬個晶體管及其他電子元件的集成電路設計與制造技術。該概念源于1970年代半導體工藝突破，标志着電子設備從分立元件向高密度集成化發展的關鍵轉折。

從技術标準看，VLSI的集成度介于大規模集成（LSI，10-10元件）和特大規模集成（ULSI，10以上元件）之間，典型特征包括亞微米級制程和複雜多層布線結構。《IEEE固态電路期刊》指出，現代VLSI芯片采用CMOS工藝實現的邏輯門延遲已低于100皮秒，功耗控制達到毫瓦級。

應用領域涵蓋：

牛津科技詞典特别強調，VLSI技術推動了摩爾定律的持續驗證，使得每18-24個月晶體管密度翻倍成為可能。當前5納米制程節點已實現每平方毫米約1.7億個晶體管的集成密度。

超大規模集成（VLSI，全稱Very Large Scale Integration）是半導體技術中的核心概念，指在單個芯片上集成數十萬至數百萬個晶體管或其他電子元件，從而實現複雜功能的微型化電路設計。以下是詳細解釋：

技術定義與分級
VLSI屬于集成電路（IC）的規模分類之一。根據集成度不同，分為：
- SSI（小規模）：10-100個晶體管；
- MSI（中規模）：100-1000個；
- LSI（大規模）：1000-10萬；
- VLSI（超大規模）：10萬-數百萬；
- ULSI（極大規模）：數百萬以上。
  注：不同資料對阈值劃分可能略有差異。
核心技術特點
- MOS晶體管主導：尤其是CMOS技術，因其低功耗和高密度特性，成為VLSI的主流工藝。
- 設計方法革新：依賴EDA（電子設計自動化）工具和硬件描述語言（如Verilog）實現複雜電路設計。
- 微縮工藝：通過光刻技術縮小晶體管尺寸，提升芯片性能（如7nm、5nm制程）。
應用領域
VLSI技術支撐了現代幾乎所有電子設備，例如：
- 微處理器（如CPU、GPU）；
- 存儲芯片（DRAM、NAND Flash）；
- 通信芯片（5G基帶、Wi-Fi模塊）；
- 嵌入式系統（物聯網設備、汽車電子）。
曆史與影響
VLSI概念興起于20世紀70年代末，推動計算機從大型機向個人電腦轉型。其發展直接關聯摩爾定律，持續促進電子産品小型化、高性能化和低成本化，深刻改變了通信、醫療、工業等領域的技術格局。