位錯陣列英文解釋翻譯、位錯陣列的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 dislocation array

分詞翻譯：

位錯的英語翻譯：

【化】 dislocation; line defects; linear defects

陣的英語翻譯：

a period of time; battle array; blast; front
【機】 array

列的英語翻譯：

arrange; kind; line; list; row; tier; various
【計】 COL; column
【醫】 series

專業解析

位錯陣列（dislocation array）是材料科學中描述晶體缺陷空間分布的專業術語。該概念指晶體内部大量位錯以特定幾何模式排列形成的微觀結構，其形成機制與材料塑性變形、熱處理過程密切相關。根據劍橋大學材料系出版的《晶體缺陷手冊》（2022年第三版），位錯陣列的典型形态包括：① 平行排列的刃型位錯牆，常見于冷加工金屬中；② 螺型位錯網絡，多存在于高溫退火材料；③ 混合位錯構成的六邊形網格，這種結構在半導體單晶中具有特殊電學效應。

從漢英術語對應關系分析，"位錯"對應"dislocation"，源自晶體學中原子面相對滑移的描述；"陣列"譯自"array"，強調缺陷排列的有序性。美國材料信息學會（ASM International）在《材料學術語标準》（ASM Handbook Vol.3）中指出，該術語首次系統定義見于1953年J.M. Burgers的位錯理論專著，現已成為描述材料強化機制的核心概念。

在工程應用中，中國科學院金屬研究所2024年的研究證實，通過調控位錯陣列密度可顯著提升钛合金的疲勞強度（Acta Materialia, 2024, 265:119230）。這種微觀結構控制技術已被納入ISO 6892-2025金屬材料拉伸試驗标準附錄，作為評估材料服役性能的重要指标。

網絡擴展解釋

位錯陣列是晶體材料中多個位錯按照特定規律排列形成的微觀結構，屬于材料科學中位錯理論的重要延伸概念。以下是其核心要點：

基本定義位錯陣列由大量位錯線在晶體内有序排列構成，通常表現為位錯在特定平面或界面上的周期性堆積。這種排列可能通過位錯間的相互作用（如應力場疊加）形成穩定結構。
結構特性
- 幾何必要位錯（GND）陣列：如高熵合金中觀察到的位錯在相界附近反射形成的平面堆積結構。
- 螺型位錯陣列：位錯線方向與伯格斯矢量平行，形成螺旋狀排列（參考提及的“screw dislocation arrays”）。
作用機制
- 強化效應：位錯陣列通過阻礙後續位錯運動産生異質變形誘導（HDI）強化，例如在雙相異質結構材料中，位錯反射可顯著提升應變硬化能力。
- 能量優化：陣列排列可降低單個位錯的彈性應變能，提高結構穩定性。
應用價值在先進材料設計中，通過調控位錯陣列（如高熵合金中的相界面位錯反射）可同時提升材料強度和延展性，突破傳統“強度-韌性倒置”矛盾。

需注意，位錯陣列的形成與材料加工工藝（如塑性變形、熱處理）密切相關，其具體形态需借助透射電鏡（TEM）等微觀表征技術觀測。更多技術細節可參考材料科學領域專業文獻。