超大规模集成英文解释翻译、超大规模集成的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 very-large-scale integration

exceed; go beyond; overtake
【计】 hyperactive
【医】 per-; ultra-

【计】 large-scale integration; LSI

超大规模集成（Very Large Scale Integration，VLSI）是微电子技术领域的核心术语，指在单一芯片上集成超过10万个晶体管及其他电子元件的集成电路设计与制造技术。该概念源于1970年代半导体工艺突破，标志着电子设备从分立元件向高密度集成化发展的关键转折。

从技术标准看，VLSI的集成度介于大规模集成（LSI，10-10元件）和特大规模集成（ULSI，10以上元件）之间，典型特征包括亚微米级制程和复杂多层布线结构。《IEEE固态电路期刊》指出，现代VLSI芯片采用CMOS工艺实现的逻辑门延迟已低于100皮秒，功耗控制达到毫瓦级。

应用领域涵盖：

牛津科技词典特别强调，VLSI技术推动了摩尔定律的持续验证，使得每18-24个月晶体管密度翻倍成为可能。当前5纳米制程节点已实现每平方毫米约1.7亿个晶体管的集成密度。

超大规模集成（VLSI，全称Very Large Scale Integration）是半导体技术中的核心概念，指在单个芯片上集成数十万至数百万个晶体管或其他电子元件，从而实现复杂功能的微型化电路设计。以下是详细解释：

技术定义与分级
VLSI属于集成电路（IC）的规模分类之一。根据集成度不同，分为：
- SSI（小规模）：10-100个晶体管；
- MSI（中规模）：100-1000个；
- LSI（大规模）：1000-10万；
- VLSI（超大规模）：10万-数百万；
- ULSI（极大规模）：数百万以上。
  注：不同资料对阈值划分可能略有差异。
核心技术特点
- MOS晶体管主导：尤其是CMOS技术，因其低功耗和高密度特性，成为VLSI的主流工艺。
- 设计方法革新：依赖EDA（电子设计自动化）工具和硬件描述语言（如Verilog）实现复杂电路设计。
- 微缩工艺：通过光刻技术缩小晶体管尺寸，提升芯片性能（如7nm、5nm制程）。
应用领域
VLSI技术支撑了现代几乎所有电子设备，例如：
- 微处理器（如CPU、GPU）；
- 存储芯片（DRAM、NAND Flash）；
- 通信芯片（5G基带、Wi-Fi模块）；
- 嵌入式系统（物联网设备、汽车电子）。
历史与影响
VLSI概念兴起于20世纪70年代末，推动计算机从大型机向个人电脑转型。其发展直接关联摩尔定律，持续促进电子产品小型化、高性能化和低成本化，深刻改变了通信、医疗、工业等领域的技术格局。